[實用新型]一種提高MOCVD外延片波長良率的衛星盤有效
| 申請號： | 201520367958.4 | 申請日： | 2015-06-02 |
| 公開（公告）號： | CN204714941U | 公開（公告）日： | 2015-10-21 |
| 發明（設計）人： | 孫一軍;李鴻漸;李盼盼;趙新印;王明洋;金豫浙;李志聰;王輝;王國宏 | 申請（專利權）人： | 揚州中科半導體照明有限公司 |
| 主分類號： | C30B25/12 | 分類號： | C30B25/12;C30B29/40 |
| 代理公司： | 揚州市錦江專利事務所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 mocvd 外延 波長 衛星 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高MOCVD外延片波長良率的衛星盤，包括衛星盤體，在衛星盤體的背面中心開設固定栓支撐小孔，在衛星盤體的正面中心設置一個中心片槽，以所述中心片槽為對稱中心，在衛星盤體的正面布置若干邊緣片槽，其特征在于：在所述中心片槽的底部開設內凹槽。
2.根據權利要求1所述提高MOCVD外延片波長良率的衛星盤，其特征在于：所述內凹槽的深度為10～1000微米。
3.根據權利要求1或2所述提高MOCVD外延片波長良率的衛星盤，其特征在于：所述內凹槽為橫截面為圓形的柱形，所述內凹槽的直徑為0.1～50毫米。
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