[實用新型]一種MEMS壓力傳感器

有效

• 申請號: 201520364825.1
• 申請日: 2015-05-29
• 公開（公告）號: CN204881937U
• 公開（公告）日: 2015-12-16
• 發明（設計）人: 鄭國光
• 申請（專利權）人: 歌爾聲學股份有限公司
• 主分類號: G01L1/18
• 分類號: G01L1/18;G01L9/06
• 代理公司: 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙) 11442
• 代理人: 馬佑平;王昭智

1.一種MEMS壓力傳感器，其特征在于：包括襯底，以及位于襯底上方并與襯底形成真空腔(8)的敏感膜層(3)，所述敏感膜層(3)包括位于中部的敏感部(3c)，以及位于敏感部(3c)邊緣、支撐在襯底上的支撐部(3a)，其中，敏感部(3c)所在的平面低于支撐部(3a)，并通過傾斜部(3b)與支撐部(3a)連接在一起，以使敏感部(3c)、傾斜部(3b)、支撐部(3a)構成階梯狀結構；在所述敏感部(3c)上設置有壓敏電阻(4)，所述壓敏電阻(4)上設置有供信號引出的引線(6)。

2.根據權利要求1所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于：所述支撐部(3a)與襯底之間設置有第一絕緣層(7)。

3.根據權利要求1所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于：所述傾斜部(3b)本身具有至少一個階梯結構。

4.根據權利要求1所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于：所述引線(6)的一端連接在壓敏電阻(4)上，另一端沿著傾斜部(3b)的表面延伸至支撐部(3a)上，并在支撐部(3a)上形成焊盤。

5.根據權利要求4所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于：所述引線(6)與敏感部(3c)、傾斜部(3b)、支撐部(3a)之間設有第二絕緣層(5)。

6.根據權利要求1所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于：所述襯底包括位于底部的第二襯底(1)，以及設置在第二襯底(1)上端用于支撐敏感膜層(3)的第一襯底(2)。

7.根據權利要求6所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于：所述第一襯底(2)為單晶硅，其具有<100>的晶向。