[實用新型]一種功率控制電路

有效

• 申請號: 201520363139.2
• 申請日: 2015-05-29
• 公開（公告）號: CN204705934U
• 公開（公告）日: 2015-10-14
• 發明（設計）人: 邱衛強;張世雄
• 申請（專利權）人: 杭州華三通信技術有限公司
• 主分類號: G05F1/66
• 分類號: G05F1/66
• 代理公司: 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415
• 代理人: 林祥

技術領域

本實用新型涉及緩啟動技術領域，尤其涉及一種功率控制電路。

背景技術

分立緩啟動電路由于成本低、電路簡單、可靠性高等優點，在業界熱插拔電路中被廣泛應用。但是，隨著輸入電壓的不斷提高，單板功率越來越大，作為緩啟動電路的核心部件MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor?Field?Effect?Transistor，金屬-氧化物半導體場效應晶體管)的應力也不斷增加。如果超過了MOSFET的SOA(Safe?operating?area,安全工作區)范圍，就會造成晶體管失效。

對于分立緩啟動電路，在熱插拔上電瞬間，MOSFET工作在線性區，DS兩端承受很大的電壓。由于輸出負載電容的存在，在MOSFET上產生很大的功率沖擊，使得MOSFET很容易進入熱不穩定區，從而造成器件失效。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型提出一種功率控制電路，該電路能夠限制緩啟動電路上電時在N型MOSFET上產生的功率，解決上電時N型MOSFET進入熱不穩定區導致失效的問題。

為了達到上述目的，本實用新型所采用的技術方案為：

根據本申請實施例的第一方面，提供一種功率控制電路，所述電路用于緩啟動電路；

所述緩啟動電路包括：第一電阻、N型金屬-氧化物半導體場效應晶體管MOSFET和第一電容；

其中，所述第一電阻的一端接所述緩啟動電路的第一端，所述第一電阻的另一端接所述N型MOSFET的柵極；

所述N型MOSFET的源極接所述緩啟動電路的第二端；所述N型MOSFET的漏極接所述緩啟動電路的第三端；所述N型MOSFET的柵極接所述緩啟動電路的第四端；

所述第一電容接在所述N型MOSFET的柵極和漏極之間；

所述功率控制電路的輸入端接收輸入電壓，所述功率控制電路的輸出端接所述緩啟動電路的第四端；

所述功率控制電路，用于在所述緩啟動電路上電時，控制所述N型MOSFET的漏極電流隨著接收到的輸入電壓的減小而變大。

其中，所述功率控制電路包括：第二電阻和PNP型三極管；

所述第二電阻的一端接所述緩啟動電路的第一端，所述第二電阻的另一端接所述PNP型三極管的發射極；

所述PNP型三極管的基極接所述功率控制電路的輸入端，所述PNP型三極管的集電極接所述功率控制電路的輸出端。

其中，所述功率控制電路的輸入端接所述緩啟動電路的第三端。

其中，所述功率控制電路的輸入端接電壓源；

所述電壓源的輸出電壓由大變小。

其中，所述功率控制電路還包括：第三電阻和第四電阻；

所述第三電阻和第四電阻串聯接在所述緩啟動電路的第一端和第三端之間；

所述第三電阻和第四電阻的公共端接所述PNP型三極管的基極。

其中，所述功率控制電路包括：第五電阻、NPN型三極管、第六電阻和第二電容；

其中，所述第五電阻的一端接所述緩啟動電路的第一端，所述第五電阻的另一端接所述NPN型三極管的集電極；

所述第六電阻的一端接所述緩啟動電路的第一端，所述第六電阻的另一端接所述第二電容的一端，所述第二電容的另一端接所述緩啟動電路的第二端；

所述第六電阻和所述第二電容的公共端接所述NPN型三極管的基極；

所述NPN型三極管的基極接所述功率控制電路的輸入端，所述NPN型三極管的發射極接所述功率控制電路的輸出端。

其中，所述緩啟動電路還包括：二極管、第七電阻、第八電阻和第三電容；

其中，所述第七電阻的一端接所述第一電阻與所述緩啟動電路的第一端相連的一端，所述第七電阻的另一端接所述第八電阻的一端；所述第八電阻的另一端接所述N型MOSFET的源極；

所述二極管的陰極接所述第七電阻和第八電阻的公共端，所述二極管的陽極接所述N型MOSFET的柵極；

所述第三電容接在所述二極管的陰極和所述N型MOSFET的源極之間。

其中，所述功率控制電路和所述緩啟動電路相互獨立設置；

或者，

所述功率控制電路和所述緩啟動電路集成為一體。

本申請實施例中，在緩啟動電路上電時，通過所述功率控制電路控制緩啟動電路的N型MOSFET的漏極電流，使得N型MOSFET的漏極電流隨著功率控制電路的輸入電壓的減小而變大。