[實用新型]一種新型用以制造多晶硅錠的坩堝

有效

• 申請號: 201520357027.6
• 申請日: 2015-05-29
• 公開（公告）號: CN204676192U
• 公開（公告）日: 2015-09-30
• 發明（設計）人: 楊道祥;楊波;李偉業;王娜
• 申請（專利權）人: 安徽旭能光伏電力有限公司
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

??本實用新型涉及光伏太陽能領域，尤其涉及一種新型用以制造多晶硅錠的坩堝。

背景技術

目前坩堝中的硅料的化料基本上是通過將玻璃棒伸入坩堝底部的中間位置來測量剩余硅料高度，從而來準確控制坩堝底部有一層淺淺的硅料覆蓋，?來保證后續的鑄錠質量。

現有坩堝設計中，大部分的坩堝內壁的底部基本上都是在同一個水平面上，這樣存在很大的問題，在多晶鑄錠中，鑄錠爐大部分在其頂部和側部分別設置頂部加熱器和側部加熱器，使得置于鑄錠爐中的坩堝內壁的底部的中間位置溫度較低，?而坩堝內壁的底部的邊緣位置溫度較高，即其熱場呈現中間位置微凸的等溫面，底部都在同一個水平面上的坩堝的化料的剩余程度由坩堝的熱場決定，這就使得當坩堝底部的中間位置的硅料還有剩余時，坩堝底部的邊緣位置的硅料已化完，進而無法準確控制坩堝底部有一層淺淺的硅料覆蓋，來保證后續的鑄錠質量。

還有，目前多晶硅錠生產中存在的普遍問題是：在定向凝固過程中，硅料在坩堝四側和四角冷卻得快，坩堝中心冷卻得慢，這嚴重影響了多晶硅錠的成晶率，其原因就在于石墨坩堝底部和四周冷卻速度不一致，外側冷卻得快，底部冷卻得慢，所以不能實現外側和中心同步定向凝固。

最后，由于現有的制造多晶硅錠的坩堝的底面為平面，多晶鑄錠成核階段，可在坩堝底部任意位置成核并橫向長大，所以晶粒大小不受控制，不利于抑制枝晶生長，且晶粒大小不一，均勻性不好。

實用新型內容

本實用新型所要解決的問題在于：提供一種新型用以制造多晶硅錠的坩堝，其不僅能保證后續鑄錠質量，同時保證多晶硅錠成晶率，還能抑制枝晶生長。

本實用新型解決技術問題采用如下技術方案：

一種新型用以制造多晶硅錠的坩堝，包括坩堝本體，所述坩堝本體包括坩堝側壁、坩堝底壁和坩堝底板，所述坩堝底壁端部與坩堝側壁相連，所述坩堝側壁端部與坩堝底板端部相連，所述坩堝底壁中部與坩堝底板中部重合，且坩堝底壁端部的高度高于坩堝底板端部的高度，所述坩堝底壁端部和坩堝底板端部之間設有由坩堝底壁端部、坩堝底板端部和坩堝側壁所圍成的緩沖區。

優選的，所述坩堝底壁中部和端部的厚度相等。

本實用新型的有益效果是：本實用新型在現有技術的基礎上，將坩堝底壁設計成曲面，在坩堝底壁下增設坩堝底板，不僅能保證后續鑄錠質量，同時保證多晶硅錠成晶率，還能抑制枝晶生長。

附圖說明

圖1為本實用新型截面示意圖。

圖中標號：1為坩堝本體，11為坩堝側壁，12為坩堝底壁，13為坩堝底板，14為緩沖區。

具體實施方式

為了使本實用新型實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合具體圖示，進一步闡述本實用新型。

如圖1所示，一種新型用以制造多晶硅錠的坩堝，包括坩堝本體1，所述坩堝本體1包括坩堝側壁11、坩堝底壁12和坩堝底板13，所述坩堝底壁12端部與坩堝側壁11相連，所述坩堝側壁11端部與坩堝底板13端部相連，所述坩堝底壁12中部與坩堝底板13中部重合，且坩堝底壁12端部的高度高于坩堝底板13端部的高度，所述坩堝底壁12端部和坩堝底板13端部之間設有由坩堝底壁12端部、坩堝底板13端部和坩堝側壁11所圍成的緩沖區14。

具體設計時，所述坩堝底壁12中部和端部的厚度相等。

本實用新型提出一種新型用以制造多晶硅錠的坩堝。本實用新型在現有技術的基礎上，將坩堝底壁12設計成曲面，在坩堝底壁12下增設坩堝底板13，還增設緩沖區14，這樣，緩沖區14使得坩堝底壁12端部的升溫減緩，大大減小坩堝底壁12端部與中部的溫差，同時緩沖區14還使得坩堝底壁12端部冷卻速度減緩，保證了多晶硅錠成晶率，最后由于坩堝底壁12是曲面的，不是現有技術那樣的平面，這樣有效的抑制了枝晶的生長。

以上所述，僅為本實用新型較佳的具體實施方式，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內，根據本實用新型的技術方案及其實用新型構思加以等同替換或改變，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。