[實(shí)用新型]一種陣列基板及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520349040.7 | 申請日： | 2015-05-26 |
| 公開（公告）號： | CN204719374U | 公開（公告）日： | 2015-10-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李文波;李盼 | 申請（專利權(quán)）人： | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1362 | 分類號： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 陣列 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括由交叉設(shè)置的柵線和數(shù)據(jù)線劃分出的多個(gè)像素單元，
所述像素單元包括第一子像素電極和第二子像素電極，所述第一子像素電極與第一TFT的漏極相連，所述第二子像素電極與第二TFT的漏極相連；
其中，所述第一TFT的源極與其相連的數(shù)據(jù)線之間的電阻，大于所述第二TFT的源極與其相連的數(shù)據(jù)線之間的電阻；和/或,所述第一TFT的漏極與所述第一子像素電極之間的電阻，大于所述第二TFT的漏極與所述第二子像素電極之間的電阻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，
所述第一TFT的源極與其相連的數(shù)據(jù)線之間通過折線狀的源極線相連，所述第二TFT的源極與其相連的數(shù)據(jù)線之間通過直線狀的源極線相連；和/或，
所述第一TFT的漏極與所述第一子像素電極之間通過折線狀的漏極線相連，所述第二TFT的漏極與所述第二子像素電極之間通過直線狀的漏極線相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，
與所述第一TFT的源極相連的源極線上設(shè)有第一分壓電阻，和/或，
與所述第一TFT的漏極相連的漏極線上設(shè)有第二分壓電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述源極線包括間隔設(shè)置的第一源極段，所述第一分壓電阻包括與所述第一源極段異層設(shè)置的第二源極段；其中，
所述第二源極段通過過孔與所述間隔設(shè)置的第一源極段連接；所述第二TFT的源極與所述第一源極段同層設(shè)置，或與所述第二源極段同層設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一TFT的第二源極段與所述第一子像素電極和/或所述第二子像素電極同層設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述源極線包括第一源極段和第二源極段，所述第一分壓電阻包括二極管組對，其中，
所述二極管組對的一端與所述第一源極段連接，所述二極管組對?的另一端與所述第二源極段連接；所述二極管組對包括并聯(lián)的正向二極管和反向二極管。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述正向二極管和所述反向二極管，是由兩個(gè)薄膜晶體管分別短接形成的，其中，
所述正向二極管包括：第一短接源極、第一短接漏極和第一柵極區(qū)，其中，所述第一短接源極與所述第一源極段相連，所述第一短接漏極與所述第二源極段相連，所述第一柵極區(qū)通過過孔與所述第一短接源極短接；
所述反向二極管包括：第二短接源極、第二短接漏極和第二柵極區(qū)，其中，所述第二短接源極與所述第一源極段相連，所述第二短接漏極與所述第二源極段相連，所述第二柵極區(qū)通過過孔與所述第二短接漏極短接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第一柵極區(qū)、所述第二柵極區(qū)均與所述第一TFT的柵極、所述第二TFT的柵極同層設(shè)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，
在所述第一柵極區(qū)和所述第一短接源極之上分別形成過孔，且兩過孔之上覆蓋透明導(dǎo)電層連接；
在所述第二柵極區(qū)和所述第二短接漏極之上分別形成過孔，且兩過孔之上覆蓋透明導(dǎo)電層連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述柵線上設(shè)置有不穿透的凹槽，所述凹槽的開口朝向所述第一子像素電極或所述第二子像素電極，所述第一TFT的源極線經(jīng)過所述凹槽的底部與所述第一TFT的柵極交疊。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-2或權(quán)利要求4-10中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，在同一所述像素單元中，所述第一TFT的源極與所述第二TFT的源極連接同一條數(shù)據(jù)線；所述第一TFT的柵極與所述第二TFT的柵極連接同一條柵線。
12.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)所述的陣列基板。
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G02F1-35 .非線性光學(xué)
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