[實(shí)用新型]一種GaN晶體生長裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520345573.8 | 申請日： | 2015-05-26 |
| 公開（公告）號： | CN204714948U | 公開（公告）日： | 2015-10-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳蛟;李成明;劉南柳;巫永鵬;羅睿宏;李順峰;張國義 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京大學(xué)東莞光電研究院 |
| 主分類號： | C30B29/40 | 分類號： | C30B29/40;C30B35/00 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102 | 代理人： | 羅曉林 |
| 地址： | 523000 廣東省東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 gan 晶體生長 裝置 | ||
1.一種GaN晶體生長裝置，包括高壓釜，該高壓釜內(nèi)裝設(shè)有坩堝，該坩堝內(nèi)填充有晶體生長溶液，坩堝內(nèi)放置有位于晶體生長溶液內(nèi)的GaN籽晶，其特征在于，所述坩堝內(nèi)設(shè)有浮在晶體生長溶液上的漂浮體，GaN籽晶生長面的背面與該漂浮體連接，漂浮體帶著GaN籽晶漂浮在晶體生長溶液上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN晶體生長裝置，其特征在于，所述漂浮體為密度小于晶體生長溶液的實(shí)心體或空心體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN晶體生長裝置，其特征在于，所述漂浮體為密度大于晶體生長溶液的空心體。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的GaN晶體生長裝置，其特征在于，所述漂浮體的空心部位填充有密度小于晶體生長溶液的材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項所述的GaN晶體生長裝置，其特征在于，所述GaN籽晶采用鍵合的方式鍵合在漂浮體上實(shí)現(xiàn)相互連接，或者GaN籽晶采用外延的方式直接在漂浮體上生成實(shí)現(xiàn)相互連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的GaN晶體生長裝置，其特征在于，所述GaN籽晶生長面的背面的面積大于或小于或等于漂浮體上與該GaN籽晶生長面的背面連接接觸的面的面積。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的GaN晶體生長裝置，其特征在于，所述晶體生長溶液為純鎵溶液，或者鎵占一定百分比的溶液，漂浮體為藍(lán)寶石、BN或Y2O3。
8.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的GaN晶體生長裝置，其特征在于，所述晶體生長溶液為純鎵溶液，或者鎵占一定百分比的混合溶液，漂浮體為鉑、氮化鎵或鐵鉻合金。
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