[實(shí)用新型]一種電容耦合型等離子體處理裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520345093.1
• 申請日: 2015-05-26
• 公開（公告）號: CN204733444U
• 公開（公告）日: 2015-10-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邢云翮;于凌崧;莊文;劉釗
• 申請（專利權(quán)）人: 山東專利工程總公司
• 主分類號: H05H1/24
• 分類號: H05H1/24
• 代理公司: 濟(jì)南泉城專利商標(biāo)事務(wù)所 37218
• 代理人: 張貴賓

1.一種電容耦合型等離子體處理裝置，包括處理腔室、處理氣體供給單元、等離子體射流放電單元和高頻電源，其特征在于：所述等離子體射流放電單元為設(shè)置于所述處理腔室頂部的等離子體射流放電陣列，所述等離子體射流放電陣列包括自上而下依次設(shè)置的高壓電極、阻擋介質(zhì)平板和工作氣流通道層；所述高壓電極位于阻擋介質(zhì)平板上方并緊貼阻擋介質(zhì)平板，工作氣流通道層緊貼阻擋介質(zhì)平板的下方并與所述處理氣體供給單元相連通以輸送用于生成等離子體的工作氣體；所述阻擋介質(zhì)平板包括超材料基材層和附著在所述超材料基材層上的若干金屬線結(jié)構(gòu)單元。

2.如權(quán)利要求1所述的電容耦合型等離子體處理裝置，其特征在于：所述金屬線結(jié)構(gòu)單元呈周期陣列均勻排布。

3.如權(quán)利要求1所述的電容耦合型等離子體處理裝置，其特征在于：

所述處理腔室內(nèi)設(shè)置有由導(dǎo)電材料制成的用于載置待處理基板的載置臺，所述載置臺兼作為高頻電極；所述載置臺收納于絕緣框內(nèi)，所述絕緣框被中空的支柱支撐；所述支柱底端位于處理腔室外部并被升降機(jī)構(gòu)支撐；所述絕緣框與處理腔室底部設(shè)置有氣密性包圍所述支柱的伸縮管；所述處理腔室底部設(shè)有排氣口；

所述高頻電源包括第一高頻電源和第二高頻電源；所述第一高頻電源經(jīng)整合器由設(shè)置于所述支柱內(nèi)的供電線連接至所述載置臺；

所述氣體供給單元包括設(shè)置于處理腔室側(cè)壁的氣體緩沖部，所述緩沖部周向上間隔設(shè)置有面對等離子體生成空間的若干側(cè)壁氣體排出孔；所述緩沖部通過管道連通氣體供給源。

4.如權(quán)利要求1所述的電容耦合型等離子體處理裝置，其特征在于：所述阻擋介質(zhì)平板周圍的尺寸比高壓電極大。

5.如權(quán)利要求3所述的電容耦合型等離子體處理裝置，其特征在于：所述工作氣流通道層包括若干并列設(shè)置的氣流通道；各所述氣流通道包括與所述緩沖部連通的進(jìn)氣口、兩側(cè)的密封絕緣板和帶通孔的絕緣底板；各所述氣流通道間相互獨(dú)立，且各所述氣流通道通道的尾部設(shè)置有氣流密封擋板。

6.如權(quán)利要求1所述的電容耦合型等離子體處理裝置，其特征在于：所述超材料基材層為FR4、F4B或聚四氟乙烯基材層；所述金屬線結(jié)構(gòu)單元中的金屬線為銀線或銅線。

7.如權(quán)利要求6所述的電容耦合型等離子體處理裝置，其特征在于：所述由金屬線構(gòu)成的若干結(jié)構(gòu)單元呈“工”字形、“T”字形或“十”字形。

8.如權(quán)利要求5所述的電容耦合型等離子體處理裝置，其特征在于：所述密封絕緣板、絕緣底板和氣流密封擋板由石英玻璃或環(huán)氧玻璃制備而成。

9.如權(quán)利要求5所述的電容耦合型等離子體處理裝置，其特征在于：所述絕緣底板上的通孔等間隔均勻排布。