[實(shí)用新型]基于碳納米管可飽和吸收鏡的中紅外脈沖光學(xué)參量振蕩器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520344056.9 | 申請日: | 2015-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN204615144U | 公開(公告)日: | 2015-09-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 常建華;桂詩信;嚴(yán)娜;郭躍;唐安慶 | 申請(專利權(quán))人: | 南京信息工程大學(xué) |
| 主分類號: | H01S3/098 | 分類號: | H01S3/098;H01S3/081;H01S3/0941;H01S3/16 |
| 代理公司: | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200 | 代理人: | 許方 |
| 地址: | 210044 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 納米 飽和 吸收 紅外 脈沖 光學(xué) 參量 振蕩器 | ||
1.基于碳納米管可飽和吸收鏡的中紅外脈沖光學(xué)參量振蕩器,其特征在于:包括LD激光二極管、Nd:YVO4晶體、碳納米管可飽和吸收鏡、MgO:PPLN晶體、第一~第二平凹鏡、TEC制冷平臺、溫控爐,所述LD激光二極管、Nd:YVO4晶體、碳納米管可飽和吸收鏡、第一平凹鏡、MgO:PPLN晶體、第二平凹鏡從左到右依次排列并在同一水平面,第一、第二平凹鏡的凹面均朝向MgO:PPLN晶體,所述TEC制冷平臺置于Nd:YVO4晶體下方且與之接觸,溫控爐置于MgO:PPLN晶體下方且與之接觸;LD激光二極管發(fā)出的激光經(jīng)Nd:YVO4晶體產(chǎn)生1064nm的連續(xù)激光,進(jìn)入碳納米管可飽和吸收鏡后產(chǎn)生1064nm的脈沖激光,該脈沖激光經(jīng)MgO:PPLN晶體后輸出中紅外脈沖激光;
所述Nd:YVO4晶體朝向LD激光二極管的一面鍍有與LD激光二極管輸出激光的中心波長相同大小的增透膜和1064nm的高反膜,另一面鍍有1064nm的增透膜和與LD激光二極管輸出激光的中心波長相同大小的高反膜;
所述碳納米管可飽和吸收鏡朝向Nd:YVO4晶體的一面及朝向第一平凹鏡的一面均鍍有1064nm的增透膜;
所述第一平凹鏡的平面和凹面均鍍有1064nm的增透膜且凹面還鍍有對1450nm-1650nm的高反膜;
所述MgO:PPLN晶體的朝向第一、第二平凹鏡的面上均鍍有對1064nm、1450nm-1650nm、3000nm-4000nm的增透膜;
所述第二平凹鏡的平面鍍有對3000nm-4000nm的增透膜,凹面鍍有對1064nm、1450nm-1650nm的高反膜。
2.如權(quán)利要求1所述基于碳納米管可飽和吸收鏡的中紅外脈沖光學(xué)參量振蕩器,其特征在于:該振蕩器還包括紫銅塊,所述紫銅塊位于LD激光二極管和TEC制冷平臺之間。
3.如權(quán)利要求1或2所述基于碳納米管可飽和吸收鏡的中紅外脈沖光學(xué)參量振蕩器,其特征在于:所述LD激光二極管輸出激光的中心波長為808nm。
4.如權(quán)利要求1或2所述基于碳納米管可飽和吸收鏡的中紅外脈沖光學(xué)參量振蕩器,其特征在于:所述Nd:YVO4晶體的長為3mm、寬為3mm、厚為2mm。
5.如權(quán)利要求1或2所述基于碳納米管可飽和吸收鏡的中紅外脈沖光學(xué)參量振蕩器,其特征在于:所述MgO:PPLN晶體的長為30mm、寬為10mm、厚為1mm。
6.如權(quán)利要求1或2所述基于碳納米管可飽和吸收鏡的中紅外脈沖光學(xué)參量振蕩器,其特征在于:所述TEC制冷平臺控制Nd:YVO4晶體的溫度為25℃。
7.如權(quán)利要求1或2所述基于碳納米管可飽和吸收鏡的中紅外脈沖光學(xué)參量振蕩器,其特征在于:所述溫控爐控制MgO:PPLN晶體的溫度為20℃-350℃。
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