[實用新型]一種防止芯片切割分層的結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520334592.0
• 申請日: 2015-05-22
• 公開（公告）號: CN204596773U
• 公開（公告）日: 2015-08-26
• 發(fā)明（設計）人: 宋春
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L23/544
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 余明偉

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，特別是涉及一種防止芯片切割分層的結構。

背景技術

芯片(Die)的切割一直是半導體業(yè)界非常重要的工藝。半導體晶片(wafer)在歷經了復雜的制造工藝后，需要將其分割成若干個電路小片，也就是芯片。芯片一般呈矩形，排列在晶片表面，晶片表面沿芯片粒四周設有格子狀的切割道，用以分隔各芯片。現有的芯片切割方法主要有刀具(如金剛石刀具)切割和輻射能量(如激光)切割。刀具切割是利用機械力直接作用在晶片的切割道，實現芯片的分離。激光切割是非接觸式切割方法，它是激光能量通過光學聚焦后獲得高能量密度，沿切割道直接將晶片氣化，從而分離芯片。

如圖1為激光切割晶片結構示意圖。圖1中，芯片1和芯片1之間的切割道寬80μm，激光束5的寬度為8μm，一般，客戶要求激光束5到芯片1的距離要有7.5μm的余量。但是，切割下來的芯片經過測試后發(fā)現芯片產生分層翹起等缺陷，導致芯片無法應用于實際電路當中。經過進一步研究發(fā)現，芯片內部分層僅僅發(fā)生在切割道測試結構(Test?key，TK)的焊墊附近，其他位置均正常。分層之所以會發(fā)生在TK焊墊附近，是因為激光切割晶片利用的是激光的熱熔原理，當激光的高能密度集中在切割道TK焊墊上時，焊墊橫向熱膨脹容易在芯片內部產生應力，進而在芯片內部發(fā)生分層。

因此，提供一種防止芯片切割分層的結構實屬必要。

實用新型內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本實用新型的目的在于提供一種防止芯片切割分層的結構，用于解決現有技術中激光切割晶片時，切割道上TK焊墊熱膨脹在芯片內部產生應力，導致芯片內部發(fā)生分層的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本實用新型提供一種防止芯片切割分層的結構，所述芯片的外圍設置有密封環(huán)，芯片和芯片之間設置有切割道，所述切割道和密封環(huán)之間還設置有空通道。

作為本實用新型防止芯片切割分層的結構的一種優(yōu)化的方案，所述空通道的寬度范圍為5～20μm。

作為本實用新型防止芯片切割分層的結構的一種優(yōu)化的方案，所述切割道的寬度范圍為40～70μm。

作為本實用新型防止芯片切割分層的結構的一種優(yōu)化的方案，所述切割道中形成有測試結構。

作為本實用新型防止芯片切割分層的結構的一種優(yōu)化的方案，所述測試結構包括測試焊墊。

作為本實用新型防止芯片切割分層的結構的一種優(yōu)化的方案，所述測試焊墊為金屬。

作為本實用新型防止芯片切割分層的結構的一種優(yōu)化的方案，所述密封環(huán)為絕緣材料形成的結構。

如上所述，本實用新型的防止芯片切割分層的結構，所述芯片的外圍設置有密封環(huán)，芯片和芯片之間設置有切割道，所述切割道和密封環(huán)之間還設置有一條空通道。本實用新型通過在所述切割道和密封環(huán)之間設置一條空通道，當切割晶片時，利用空通道可以防止切割道上的TK焊墊由于熱膨脹在芯片內部產生應力，進而減低芯片內部發(fā)生分層的風險。本實用新型防止芯片切割分層的結構簡單，適用于工業(yè)化生產。

附圖說明

圖1為現有技術中的芯片切割示意圖。

圖2為本實用新型的防止芯片切割分層的結構示意圖。

元件標號說明

1???芯片

2???密封環(huán)

3???空通道

4???切割道

5???激光束

具體實施方式

以下由特定的具體實施例說明本實用新型的實施方式，熟悉此技術的人士可由本說明書所揭露的內容輕易地了解本實用新型的其他優(yōu)點及功效。

請參閱圖2。須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供熟悉此技術的人士了解與閱讀，并非用以限定本實用新型可實施的限定條件，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整，在不影響本實用新型所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本實用新型所揭示的技術內容得能涵蓋的范圍內。同時，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本實用新型可實施的范圍，其相對關系的改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本實用新型可實施的范疇。

本實用新型提供一種防止切割分層的結構，如圖2所示，所述芯片1的外圍設置有密封環(huán)2，芯片1和芯片1之間設置有切割道4，所述切割道4和密封環(huán)2之間還設置有空通道3。