[實用新型]高壓超結MOSFET器件終端結構

有效

• 申請號: 201520332644.0
• 申請日: 2015-05-21
• 公開（公告）號: CN204668310U
• 公開（公告）日: 2015-09-23
• 發明（設計）人: 白玉明;薛璐;張海濤
• 申請（專利權）人: 無錫同方微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良;劉海

1.一種高壓超結MOSFET器件終端結構，包括元胞區（202）和終端區（203），其特征是：所述終端區（203）包括N型重摻雜襯底（200）和設置于N型重摻雜襯底（200）上表面的N型外延層（201），在N型外延層（201）上設置寬形SiO₂柱區（206），寬形SiO₂柱區（206）由N型外延層（201）的上表面延紳至N型外延層（201）的下表面。

2.如權利要求1所述的高壓超結MOSFET器件終端結構，其特征是：所述元胞區（202）和終端區（203）之間具有過渡區（207），所述過渡區（207）包括N型重摻雜襯底（200）、N型外延層（201）以及形成于該N型外延層（201）中的兩個窄形P柱區（204），窄形P柱區（204）由N型外延層（201）的上表面朝下表面延伸，并且窄形P柱區（204）的下端與N型外延層（201）的下表面之間存在預設間距。

3.如權利要求1或2所述的高壓超結MOSFET器件終端結構，其特征是：所述元胞區（202）包括N型重摻雜襯底（200）、N型外延層（201）及形成于所述N型外延層（201）中的窄形P柱區（204）和N^－體區（205），N^－體區（205）形成于窄形P柱區（204）的上部；所述元胞區（202）的窄形P柱區（204）由N型外延層（201）的上表面朝下表面延伸，并且窄形P柱區（204）的下端與N型外延層（201）的下表面之間存在預設間距。

4.如權利要求3所述的高壓超結MOSFET器件終端結構，其特征是：所述N^－體區（205）朝終端區（203）方向延伸，并與終端區（203）接觸。

5.如權利要求3所述的高壓超結MOSFET器件終端結構，其特征是：所述N^－體區（205）朝過渡區（207）方向延伸，并與過渡區（207）的一個窄形P柱區（204）接觸。

6.如權利要求1或2所述的高壓超結MOSFET器件終端結構，其特征是：所述寬形SiO₂柱區（206）的寬度為40～100μm。

7.如權利要求3所述的高壓超結MOSFET器件終端結構，其特征是：所述窄形P柱區（204）的寬度約為5μm。