[實用新型]發光設備有效
| 申請號： | 201520328294.0 | 申請日： | 2015-05-20 |
| 公開（公告）號： | CN204927320U | 公開（公告）日： | 2015-12-30 |
| 發明（設計）人： | 金玟奎;鄭廷桓;金景海;郭雨澈 | 申請（專利權）人： | 首爾偉傲世有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人： | 劉燦強;尹淑梅 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光 設備 | ||
【權利要求書】：
1.一種發光設備，其特征在于，所述發光設備包括：
n型氮化物半導體層；
設置在n型氮化物半導體層上的活性層；
設置在活性層上的p型氮化物半導體層；以及
設置在p型氮化物半導體層上的擴散阻擋層。
2.如權利要求1所述的發光設備，其特征在于，擴散阻擋層包括p型摻雜物。
3.如權利要求2所述的發光設備，其特征在于，p型摻雜物為Mg，擴散阻擋層包括MgxNy層。
4.如權利要求3所述的發光設備，其特征在于，擴散阻擋層包括其中具有第一濃度的Mg的MgxNy層和具有第二濃度的Mg的MgxNy層重復堆疊的結構，第一濃度大于第二濃度。
5.如權利要求3所述的發光設備，其特征在于，擴散阻擋層包括其中MgxNy層和GaN層重復堆疊的結構。
6.如權利要求3所述的發光設備，其特征在于，擴散阻擋層具有0.3nm-5nm的厚度。
7.如權利要求5所述的發光設備，其特征在于，GaN層包括Mg。
8.如權利要求1所述的發光設備，其特征在于，所述發光設備進一步包括：
設置在擴散阻擋層上的p型電極，
其中該p型電極與擴散阻擋層形成歐姆接觸。
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