[實用新型]一種第四象限可控硅半控整流電路

有效

• 申請號: 201520320030.0
• 申請日: 2015-05-18
• 公開（公告）號: CN204652254U
• 公開（公告）日: 2015-09-16
• 發明（設計）人: 高玉海
• 申請（專利權）人: 紹興標新機電科技有限公司
• 主分類號: H02M7/162
• 分類號: H02M7/162;H05K7/20
• 代理公司: 北京中政聯科專利代理事務所(普通合伙) 11489
• 代理人: 郭曉華

技術領域

本實用新型屬于電子電路技術領域，具體涉及一種第四象限可控硅半控整流電路。

背景技術

雙向可控硅是在普通可控硅的基礎上發展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯的可控硅，而且僅需一個觸發電路，是目前比較理想的交流開關器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意。盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合，但實際上它是由7只晶體管和多只電阻構成的功率集成器件。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝，有的還帶散熱板。大功率雙向可控硅大多采用RD91型封裝。從雙向可控硅的結構看它屬于NPNPN五層器件。三個電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向導通，故除門極G以外的兩個電極統稱為主端子，用T1、T2表示，不再劃分成陽極或陰極。其特點是：當G極和T2極相對于T1的電壓均為正時，T2是陽極，T1是陰極。反之，當G極和T2極相對于T1的電壓均為負時，T1變成陽極，T2為陰極。

雙向可控硅不管門極加正向電壓還是反向電壓，只要所加的門極電壓和門極驅動電流足夠大，雙向可控硅均會被觸發導通。根據雙向可控硅的主回路電壓及門極電壓的正負，可將雙向可控硅的觸發情況分為四種情況。用坐標系來表示則可分為四個象限。

第一象限觸發方式：工作電壓為T2正T1負，觸發電壓為G正T1負。導通電流的方向是T2流向T1。我們稱這種方式為第一象限的正向觸發方式。

第二象限觸發方式：工作電壓為T2正T1負，觸發電壓為G負T1正。導通電流的方向是T2流向T1。我們稱這種方式為第二象限的負向觸發方式。

第三象限觸發方式：工作電壓為T1正T2負，觸發電壓為G負T1正。導通電流的方向是T1流向T2。我們稱這種方式為第三象限的負向觸發方式。

第四象限觸發方式：工作電壓為T1正T2負，觸發電壓為G正T1負。導通電流的方向是T1流向T2。我們稱這種方式為第四象限的正向觸發方式。

現有技術中的逆變發電機控制電路中，三相半控整流都是共陰極結構。如圖2所示，這種共陰極的觸發電路較為簡單，缺點是需要一個比高壓輸出端(V+)還要高的電源(V+15)為觸發電路供電。而且因為功率可控硅的陽極都是和外殼相連，這種連接方法共陰極的接法在可控硅與散熱片連接時，需要采取絕緣措施，散熱效果不好，不符合社會發展的需要。

實用新型內容

實用新型目的：本實用新型的目的是為了解決現有技術的不足，提供一種能提高可控硅的散熱效果且不需要高端電源，結構簡單、容易實現的第四象限可控硅半控整流電路。

技術方案：本實用新型所述的一種第四象限可控硅半控整流電路，包括觸發電路、可控硅半控整流電路、穩壓電路；

所述觸發電路包括二極管D4、二極管D5、二極管D6、雙向可控硅Q4，所述二極管D4、二極管D5、二極管D6并聯且它們的正極均與雙向可控硅Q4的陽極A端相連；

所述可控硅半控整流電路包括可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3和二極管D1、二極管D2、二極管D3；所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的陽極A端均與雙向可控硅Q4的陰極K端相連且接地；所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的控制極G端均分別與二極管D4、二極管D5、二極管D6的負極連接；所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的陰極K端分別與二極管D1、二極管D2、二極管D3的正極連接；

所述穩壓電路與雙向可控硅Q4的控制極G端相連。

進一步的，所述穩壓電路還設有輸入控制電源VCC端、接地端和高壓輸出端V+，所述高壓輸出端V+與二極管D1、二極管D2、二極管D3的負極連接。

進一步的，所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的控制極G端與陰極K端之間還分別連接有電阻R1、電阻R2、電阻R3。

進一步的，所述可控硅半控整流電路的可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的陰極K端均還連接有交流電源。