[實用新型]一種低溫度系數低壓CMOS帶隙基準

有效

• 申請號: 201520311921.X
• 申請日: 2015-05-14
• 公開（公告）號: CN204595665U
• 公開（公告）日: 2015-08-26
• 發明（設計）人: 沈懌皓;于濤
• 申請（專利權）人: 上海中基國威電子有限公司
• 主分類號: G05F1/565
• 分類號: G05F1/565
• 代理公司: 北京挺立專利事務所(普通合伙) 11265
• 代理人: 王震秀

1.一種低溫度系數低壓CMOS帶隙基準，其特征在于，包括第一絕緣柵雙極型晶體管(M1)-第十絕緣柵雙極型晶體管(M10)、第一電阻(R1)-第六電阻(R6)、第一三極管(Q1)-第三三極管(Q3)和運算放大器電路，第一絕緣柵雙極型晶體管(M1)的門極分別與第五絕緣柵雙極型晶體管(M5)、第七絕緣柵雙極型晶體管(M7)-第十絕緣柵雙極型晶體管(M10)的門極連接，第一絕緣柵雙極型晶體管(M1)的門極還接第二絕緣柵雙極型晶體管(M2)的集電極，第一絕緣柵雙極型晶體管(M1)的集電極與發射極連接，第一絕緣柵雙極型晶體管(M1)、第三絕緣柵雙極型晶體管(M3)、第五絕緣柵雙極型晶體管(M5)、第七絕緣柵雙極型晶體管(M7)-第十絕緣柵雙極型晶體管(M10)的發射極均接至電源VDD端，第三絕緣柵雙極型晶體管(M3)、第四絕緣柵雙極型晶體管(M4)的集電極均接第二絕緣柵雙極型晶體管(M2)的門極，第二絕緣柵雙極型晶體管(M2)的發射極、第三絕緣柵雙極型晶體管(M3)的門極、第四絕緣柵雙極型晶體管(M4)的發射極、第六絕緣柵雙極型晶體管(M6)的發射極均接地端，第十絕緣柵雙極型晶體管(M10)的集電極接第六電阻(R6)至地端，第四絕緣柵雙極型晶體管(M4)的門極接第六絕緣柵雙極型晶體管(M6)的門極，第六絕緣柵雙極型晶體管(M6)的門極、集電極均接第五絕緣柵雙極型晶體管(M5)的集電極，第一三極管(Q1)-第三三極管(Q3)的基極、集電極均接地端，第一三極管(Q1)的基極與發射極之間接有第一電阻(R1)，第一三極管(Q1)的發射極接第四電阻(R4)至第三三極管(Q3)的發射極，第一三極管(Q1)、第三三極管(Q3)的發射極分別接第七絕緣柵雙極型晶體管(M7)、第九絕緣柵雙極型晶體管(M9)的集電極，第二三極管(Q2)的發射極接第二電阻(R2)至第八絕緣柵雙極型晶體管(M8)的集電極，第八絕緣柵雙極型晶體管(M8)的集電極分別接第三電阻(R3)、第五電阻(R5)至第三三極管(Q3)的發射極、集電極，第七絕緣柵雙極型晶體管(M7)、第八絕緣柵雙極型晶體管(M8)的集電極分別接運算放大器電路的負極端、正極端，運算放大器電路的輸出端接第一絕緣柵雙極型晶體管(M1)的門極。

2.根據權利要求1所述的一種低溫度系數低壓CMOS帶隙基準，其特征在于，所述的運算放大器電路由第十一絕緣柵雙極型晶體管(M11)-第十七絕緣柵雙極型晶體管(M17)、電容(C)、第七電阻(R7)組成，第十二絕緣柵雙極型晶體管(M12)、第十四絕緣柵雙極型晶體管(M14)的門極分別接第七絕緣柵雙極型晶體管(M7)、第八絕緣柵雙極型晶體管(M8)的集電極，第十二絕緣柵雙極型晶體管(M12)、第十四絕緣柵雙極型晶體管(M14)的發射極均接第十一絕緣柵雙極型晶體管(M11)的集電極，第十二絕緣柵雙極型晶體管(M12)、第十四絕緣柵雙極型晶體管(M14)的集電極分別接第十三絕緣柵雙極型晶體管(M13)、第十五絕緣柵雙極型晶體管(M15)的集電極，第十三絕緣柵雙極型晶體管(M13)的集電極、門極均與第十五絕緣柵雙極型晶體管(M15)的門極連接，第十五絕緣柵雙極型晶體管(M15)的門極接第十七絕緣柵雙極型晶體管(M17)的門極，第十七絕緣柵雙極型晶體管(M17)的集電極依次接第七電阻(R7)、電容(C)至第十五絕緣柵雙極型晶體管(M15)的門極，第十七絕緣柵雙極型晶體管(M17)、第十五絕緣柵雙極型晶體管(M15)、第十三絕緣柵雙極型晶體管(M13)的發射極均接地端，第十七絕緣柵雙極型晶體管(M17)的集電極分別接第十六絕緣柵雙極型晶體管(M16)的門極、集電極，第十六絕緣柵雙極型晶體管(M16)、第十一絕緣柵雙極型晶體管(M11)的發射極均接電源VDD端，第十六絕緣柵雙極型晶體管(M16)的門極接第一絕緣柵雙極型晶體管(M1)的門極。