[實用新型]一種AZO導電玻璃以及觸控裝置

有效

• 申請號: 201520308811.8
• 申請日: 2015-05-13
• 公開（公告）號: CN204676000U
• 公開（公告）日: 2015-09-30
• 發明（設計）人: 董清世;邵世強;李曉東;王潤;陳曦
• 申請（專利權）人: 信義光伏產業（安徽）控股有限公司
• 主分類號: C03C17/34
• 分類號: C03C17/34
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

技術領域

本實用新型屬于導電玻璃技術領域，特別涉及一種AZO導電玻璃及觸控裝置。

背景技術

AZO玻璃，即摻雜鋁的氧化鋅透明導電玻璃，是TCO玻璃的一種，和ITO等TCO玻璃一樣也具有透明和導電的特點，可用于生產觸摸屏器件。傳統的AZO玻璃在與ITO具有相同導電性的情況下，刻蝕紋明顯，顯示效果欠佳。并且在大尺寸觸摸屏的應用中，由AZO膜層形成的觸控結構層容易受到液晶顯示結構層的電磁干擾，影響觸摸檢測精度和響應速度。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種AZO導電玻璃，旨在消除刻蝕紋并提高其抗電磁干擾能力。

本實用新型是這樣實現的，一種AZO導電玻璃，包括玻璃基片、鍍制于所述玻璃基片一表面的消影層以及鍍制在所述消影層表面的第一AZO導電層，還包括鍍制于所述玻璃基片的另一表面并用于屏蔽電磁干擾的第二AZO導電層。

進一步的，所述第一AZO導電層和第二AZO導電層的厚度各為50～300nm，對550nm的折射率為1.80～1.95，電阻率為5×10^-4Ω/cm。

所述第一AZO導電層和第二AZO導電層的材料為2％摻雜的氧化鋅鋁。

所述消影層包括自所述玻璃基片表面依次層疊的五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層，所述五氧化二鈮膜層的厚度為5～50nm，所述二氧化硅膜層的厚度為10～60nm；所述五氧化二鈮膜層對550nm的折射率為2.20～2.40，所述二氧化硅膜層對550nm的折射率為1.40～1.50。

本實用新型的另一目的在于提供一種觸控裝置，包括觸控模塊和顯示模塊，所述觸控模塊包括所述的AZO導電玻璃，所述第一AZO導電層和第二AZO導電層蝕刻成觸控電極。

該所述第二AZO導電層還用于屏蔽所述顯示模塊對所述觸控模塊的電磁干擾。

本實用新型所述的AZO導電玻璃中，第二AZO導電層與消影層和第一AZO導電層設置于玻璃基片的異側，在觸控裝置的應用中，第二AZO導電層下方通常設有液晶顯示模塊，由于其顯示驅動電極的存在，通常對上方的觸控結構產生電磁干擾，本實施例中的第二AZO導電層可作為液晶顯示結構與觸控結構之間的屏蔽層，防止觸控結構受到電磁干擾，提高下游顯示產品的顯示效果。并且通過對AZO材料的應用，使在電子顯示領域替代ITO應用成為可能，可以解決ITO儲量有限，價格昂貴等問題。

附圖說明

圖1是本實用新型實施例提供的AZO導電玻璃的結構示意圖；

圖2是本實用新型實施例提供的AZO導電玻璃的制作流程圖。

具體實施方式

為了使本實用新型的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。

以下結合具體實施例對本實用新型的具體實現進行詳細描述：

請參考圖1，本實用新型實施例提供一種AZO導電玻璃，包括玻璃基片01、鍍制于玻璃基片01一表面的消影層02以及鍍制在所述消影層02表面的第一AZO導電層03，還包括鍍制于所述玻璃基片01的另一表面并用于屏蔽電磁干擾的第二AZO導電層04。該AZO導電玻璃可用于觸控顯示裝置中作為觸控電極結構層，其中的第一AZO導電層03和第二AZO導電層04蝕刻成觸控電極。其中，消影層02位于第一AZO導電層03和玻璃基片01之間，可見光在第一AZO導電層03表面和未被第一AZO導電層03覆蓋的基材表面上發生相消干涉從而可以消除刻蝕紋，可以大幅減輕刻蝕紋的干擾，顯示清晰細膩的畫面。第二AZO導電層04則可以在起到觸控功能的同時提高觸摸屏的抗干擾能力。

本實施例所述的AZO導電玻璃中，第二AZO導電層04與消影層02和第一AZO導電層03設置于玻璃基片01的異側，在觸控裝置的應用中，第二AZO導電層04下方通常設有液晶顯示模塊，由于其顯示驅動電極的存在，通常對上方的觸控結構產生電磁干擾，本實施例中的第二AZO導電層04可作為液晶顯示結構與觸控結構之間的屏蔽層，防止觸控結構受到電磁干擾，提高下游顯示產品的顯示效果。并且通過對AZO材料的應用，使在電子顯示領域替代ITO應用成為可能，可以解決ITO儲量有限，價格昂貴等問題。

在本實施例中，第一AZO導電層03和第二AZO導電層04的材料均為2％摻雜的氧化鋅鋁。第一AZO導電層03和第二AZO導電層04的厚度各為50～300nm，對550nm的折射率為1.80～1.95，電阻率為5×10^-4Ω/cm。