[實用新型]一種鑄錠爐有效
| 申請號: | 201520307117.4 | 申請日: | 2015-05-13 |
| 公開(公告)號: | CN204608214U | 公開(公告)日: | 2015-09-02 |
| 發明(設計)人: | 陳偉;夏寧寧;肖貴云;李林東;金浩 | 申請(專利權)人: | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分類號: | C30B29/06 | 分類號: | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 羅滿 |
| 地址: | 334100 江西*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鑄錠 | ||
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池制造技術領域,更具體地說,涉及一種鑄錠爐。
背景技術
隨著光伏行業的快速發展,降低生產成本是各個光伏企業競爭的關鍵所在。隨著多晶硅鑄錠工藝的不斷成熟,鑄錠的重量會越來越大,這就需要增大投料量,從而使運行時間變長。在長時間的運行過程中,熱場穩定性的好壞會嚴重影響晶體生長質量。
目前鑄錠爐的保溫方法就是用雙層保溫板,利用頂板、隔熱籠和保溫底板形成一個密閉的空間,以減少熱量的流失,實現保溫的作用。傳統的保溫板由于材質較差或者碳纖維長期在高溫以及雜質的侵蝕下,使用壽命會縮短,導致保溫性下降,同時現有保溫層厚度較小,約為80毫米至90毫米,再加上投料量的增加,導致了鑄錠爐熱場的保溫性能不夠好,不利于為晶體生長提供穩定的溫度梯度,導致晶體質量不佳。
實用新型內容
為解決上述技術問題,本實用新型提供了一種鑄錠爐,能夠提升隔熱籠整體保溫性能,改善溫度梯度,提高熱場內部溫度梯度的穩定性,從而能夠提高硅錠質量。
本實用新型提供的一種鑄錠爐,包括第一隔熱保溫板和第二隔熱保溫板,所述第一隔熱保溫板設置于所述第二隔熱保溫板的內側,所述第一隔熱保溫板和所述第二隔熱保溫板之間設置有保溫夾層。
優選的,在上述鑄錠爐中,還包括設置于所述第一隔熱保溫板內側表面的反射板。
優選的,在上述鑄錠爐中,還包括設置于所述第二隔熱保溫板外側表面的外部保溫層。
優選的,在上述鑄錠爐中,所述保溫夾層為石墨軟氈夾層或石墨硬氈夾層。
優選的,在上述鑄錠爐中,所述保溫夾層的厚度為5毫米至100毫米。
優選的,在上述鑄錠爐中,所述反射板為具有石墨漆表面的石墨板、鉬板或炭炭復合板。
優選的,在上述鑄錠爐中,所述反射板的厚度為1毫米至50毫米。
優選的,在上述鑄錠爐中,所述反射板設置于隔熱籠的側部、上部或下部。
優選的,在上述鑄錠爐中,所述外部保溫層為石墨軟氈夾層或石墨硬氈夾層。
優選的,在上述鑄錠爐中,所述外部保溫層的厚度為5毫米至100毫米。
從上述技術方案可以看出,本實用新型所提供的鑄錠爐,由于在所述第一隔熱保溫板和所述第二隔熱保溫板之間設置有保溫夾層,因此能夠提升隔熱籠整體保溫性能,改善溫度梯度,提高熱場內部溫度梯度的穩定性,從而能夠提高硅錠質量。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。
圖1為本申請實施例提供的一種鑄錠爐的示意圖。
具體實施方式
下面將結合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。
本申請實施例提供的一種鑄錠爐如圖1所示,圖1為本申請實施例提供的一種鑄錠爐的示意圖。該鑄錠爐包括第一隔熱保溫板1和第二隔熱保溫板2,所述第一隔熱保溫板1設置于所述第二隔熱保溫板2的內側,所述第一隔熱保溫板1和所述第二隔熱保溫板2之間設置有保溫夾層3。
從上述技術方案可以看出,本申請實施例所提供的鑄錠爐,由于在所述第一隔熱保溫板1和所述第二隔熱保溫板2之間設置有保溫夾層3,因此能夠提升隔熱籠整體保溫性能,改善溫度梯度,提高熱場內部溫度梯度的穩定性,提高硅錠質量。
進一步的,在上述鑄錠爐中,還可以優選的包括設置于所述第一隔熱保溫板1內側表面的反射板4。反射板4具有較高的耐腐蝕、耐高溫特性,且反射系數高,能夠保護所述第一隔熱保溫層不受雜質和高溫的侵蝕,同時可以使熱輻射反射至熔料區,增加了熱量的利用率,進一步提高鑄錠爐的保溫性能。
進一步的,在上述鑄錠爐中,還優選的包括設置于所述第二隔熱保溫板2外側表面的外部保溫層5。本實施例是在鋼籠外部裸露所述第二隔熱保溫板2的部位增加外部保溫層5,利用其優異的隔熱性可以使熱量更好的保留在熱場內,從而提高晶體生長質量。
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