[實用新型]一種MEMS慣性傳感器

有效

• 申請號: 201520288415.3
• 申請日: 2015-05-06
• 公開（公告）號: CN204555991U
• 公開（公告）日: 2015-08-12
• 發明（設計）人: 鄭國光
• 申請（專利權）人: 歌爾聲學股份有限公司
• 主分類號: G01C25/00
• 分類號: G01C25/00
• 代理公司: 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙) 11442
• 代理人: 馬佑平;王昭智

1.一種MEMS慣性傳感器，其特征在于：包括襯底(1)，以及分別固定在襯底(1)上端、下端的蓋體(2)，兩個蓋體(2)與襯底(1)分別形成位于襯底(1)兩側的第一容腔、第二容腔；在所述襯底(1)的上端通過中間結合層(4)設有位于第一容腔內的第一敏感結構(3)，在所述襯底(1)的下端通過中間結合層(4)設有位于第二容腔內的第二敏感結構(6)。

2.根據權利要求1所述的MEMS慣性傳感器，其特征在于：其中在所述襯底(1)上設有金屬化通孔，所述第一敏感結構(3)和第二敏感結構(6)通過穿過金屬化通孔的導電材料(5)或連通導電材料(5)的引線(9)連接。

3.根據權利要求1所述的MEMS慣性傳感器，其特征在于：所述第一敏感結構(3)包括第一彈性梁，以及位于第一彈性梁兩側的可動極板C1-1(30)、可動極板C1-2(31)，所述第二敏感結構(6)包括第二彈性梁，以及位于第二彈性梁兩側的可動極板C2-1(60)、可動極板C2-2(61)；所述襯底(1)的上端設有與可動極板C1-1(30)構成C1電容結構的固定極板C3-1(80)，以及與可動極板C1-2(31)構成C2電容結構的固定極板C3-2(81)；所述襯底(1)的下端設有與可動極板C2-1(60)構成C3電容結構的固定極板C4-1(82)，以及與可動極板C2-2(61)構成C4電容結構的固定極板C4-2(83)。

4.根據權利要求3所述的MEMS慣性傳感器，其特征在于：所述第一敏感結構(3)、第二敏感結構(6)為平動結構，其中，C1電容結構與C3電容結構形成疊加電容C13；C2電容結構與C4電容結構形成疊加電容C24，疊加電容C13與C24構成差分電容結構。

5.根據權利要求3所述的MEMS慣性傳感器，其特征在于：所述第一敏感結構(3)、第二敏感結構(6)為偏轉結構，其中，所述第一敏感結構(3)重心偏移的方向與第二敏感結構(6)重心偏移的方向相反；C1電容結構與C3電容結構形成疊加電容C13；C2電容結構與C4電容結構形成疊加電容C24，疊加電容C13與C24構成差分電容結構。

6.根據權利要求3所述的MEMS慣性傳感器，其特征在于：所述第一敏感結構(3)、第二敏感結構(6)為偏轉結構，其中，所述第一敏感結構(3)重心偏移的方向與第二敏感結構(6)重心偏移的方向相同；C1電容結構與C4電容結構形成疊加電容C14；C2電容結構與C3電容結構形成疊加電容C23，疊加電容C14與C23構成差分電容結構。

7.根據權利要求1所述的MEMS慣性傳感器，其特征在于：所述第一敏感結構(3)為加速度計結構，所述第二敏感結構(6)為陀螺儀結構；或者所述第一敏感結構(3)為陀螺儀結構，所述第二敏感結構(6)為加速度計結構。

8.根據權利要求1所述的MEMS慣性傳感器，其特征在于：所述襯底(1)上還設有貫通第一容腔和第二容腔的氣壓導通孔。