[實用新型]卷對卷磁控濺射陰極與柱狀多弧源相結合的真空鍍膜設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520286251.0 | 申請日： | 2015-05-04 |
| 公開（公告）號： | CN204644456U | 公開（公告）日： | 2015-09-16 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳曉紅;孫卓;樸賢卿;張哲娟 | 申請（專利權）人： | 上海產(chǎn)業(yè)技術研究院;華東師范大學 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/32 |
| 代理公司： | 北京連城創(chuàng)新知識產(chǎn)權代理有限公司 11254 | 代理人： | 劉伍堂 |
| 地址： | 201203 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磁控濺射 陰極 柱狀 多弧源 相結合 真空鍍膜 設備 | ||
1.一種卷對卷磁控濺射陰極與柱狀多弧源相結合的真空鍍膜設備，包括放卷室、鍍膜室、收卷室、柔性基片，其特征在于：鍍膜室（11）的一端連接放卷室（1），鍍膜室（11）的另一端連接收卷室（14），并且鍍膜室（11）與放卷室（1）的連接處及鍍膜室（11）與收卷室（14）的連接處分別設有可通過柔性基片（3）的狹長縫隙（12）；所述的鍍膜室（11）的中央設有冷卻輥（6），位于冷卻輥（6）的前方分別設有線性等離子體源（7）、磁控濺射陰極（8）及柱狀多弧源（9），并且線性等離子體源（7）、磁控濺射陰極（8）及柱狀多弧源（9）分別采用擋板（5）隔開。
2.根據(jù)權利要求1所述的卷對卷磁控濺射陰極與柱狀多弧源相結合的真空鍍膜設備，其特征在于：所述的放卷室（1）內(nèi)設有放卷軸（2）。
3.根據(jù)權利要求1所述的卷對卷磁控濺射陰極與柱狀多弧源相結合的真空鍍膜設備，其特征在于：所述的收卷室（14）內(nèi)設有收卷軸（15）。
4.根據(jù)權利要求1或2或3所述的卷對卷磁控濺射陰極與柱狀多弧源相結合的真空鍍膜設備，其特征在于：所述的放卷室（1）、鍍膜室（11）、收卷室（14）內(nèi)設有若干用于柔性基片導向作用的導向輥（10）。
5.根據(jù)權利要求1所述的卷對卷磁控濺射陰極與柱狀多弧源相結合的真空鍍膜設備，其特征在于：所述的線性等離子體源（7）、磁控濺射陰極（8）及柱狀多弧源（9）分別采用獨立的抽氣系統(tǒng)。
6.根據(jù)權利要求1所述的卷對卷磁控濺射陰極與柱狀多弧源相結合的真空鍍膜設備，其特征在于：所述的線性等離子體源（7）、磁控濺射陰極（8）及柱狀多弧源（9）用擋板（5）隔開出半開放式工作空間，其工作氣壓大于鄰近真空腔體的氣壓。
7.根據(jù)權利要求1所述的卷對卷磁控濺射陰極與柱狀多弧源相結合的真空鍍膜設備，其特征在于：所述的線性等離子體源（7）、磁控濺射陰極（8）及柱狀多弧源（9）呈半圓弧形布局設置。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
