[實用新型]一種用于生長大尺寸高純碳化硅單晶的裝置

有效

• 申請號: 201520285535.8
• 申請日: 2015-05-05
• 公開（公告）號: CN204570081U
• 公開（公告）日: 2015-08-19
• 發明（設計）人: 高玉強;宗艷民;宋建;王希杰;張紅巖
• 申請（專利權）人: 山東天岳先進材料科技有限公司
• 主分類號: C30B13/20
• 分類號: C30B13/20;C30B29/36
• 代理公司: 濟南舜源專利事務所有限公司 37205
• 代理人: 苗峻

1.一種用于生長大尺寸高純碳化硅單晶的裝置，包括生長室(9)，其特征是：所述生長室(9)采用下開蓋方式，生長室(9)的外部設置可上下移動的感應加熱器，所述生長室(9)的下部連接有大氣隔離室(1)，大氣隔離室(1)上設置有操作窗口，大氣隔離室(1)的一側連接有過渡室(15)，所述過渡室(15)內設有去除雜質的加熱裝置，所述大氣隔離室、過渡室和生長室上均設有保持內部環境處于保護氣體狀態或真空狀態的機構，大氣隔離室(1)的下部還設有吸塵器接口(22)。

2.根據權利要求1所述的用于生長大尺寸高純碳化硅單晶的裝置，其特征是：所述感應加熱器為電感線圈(5)。

3.根據權利要求2所述的用于生長大尺寸高純碳化硅單晶的裝置，其特征是：所述感應線圈(5)通過滑塊(4)設置在生長室兩側的支架上。

4.根據權利要求1所述的用于生長大尺寸高純碳化硅單晶的裝置，其特征是：所述機構除包括設置在生長室(9)和過渡室(15)的兩端進出物料處的密封法蘭，還包括抽真空裝置，所述抽真空裝置包括設置在各自空間壁上的進氣口接口、出氣口接口和壓力控制器。

5.根據權利要求4所述的用于生長大尺寸高純碳化硅單晶的裝置，其特征是：所述生長室下端的密封法蘭為可拆卸式的，該密封法蘭和上部連接部分之間還設有密封墊。

6.根據權利要求4所述的用于生長大尺寸高純碳化硅單晶的裝置，其特征是：所述生長室(9)由上密封法蘭(7)、石英管、下密封法蘭(12)構成，所述石英管為中間存在一個空腔的雙層結構，并在石英管的外壁上設有通向空腔的進出冷卻水的水接口。

7.根據權利要求6所述的用于生長大尺寸高純碳化硅單晶的裝置，其特征是：所述大氣隔離室的內部設置有滾珠絲杠(21)，滾珠絲杠(21)與生長室(9)下部的下密封法蘭(12)連接。

8.根據權利要求1所述的用于生長大尺寸高純碳化硅單晶的裝置，其特征是：所述保護氣體為氬氣、氦氣、氫氣種的任意一種或任意幾種的混合物。

9.根據權利要求1所述的用于生長大尺寸高純碳化硅單晶的裝置，其特征是：所述過渡室的加熱裝置(14)為紅外加熱器或電阻加熱器。

10.根據權利要求1所述的用于生長大尺寸高純碳化硅單晶的裝置，其特征是：所述大氣隔離室(1)的外部操作窗口處安裝至少兩副操作手套。