[實用新型]薄膜沉積裝置有效
| 申請號: | 201520265380.1 | 申請日: | 2015-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN204714899U | 公開(公告)日: | 2015-10-21 |
| 發明(設計)人: | 黃常洙;李愚嗔;河周一;申奇照;李敦熙 | 申請(專利權)人: | TES股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 陶敏;臧建明 |
| 地址: | 韓國京畿道龍仁市處*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜 沉積 裝置 | ||
1.一種薄膜沉積裝置,其特征在于包含:
氣體供給部,其具備至少一個的氣體供給模塊,所述氣體供給模塊供給包含原料氣體與反應氣體的多種制程氣體及吹掃氣體,對殘留的所述制程氣體或所述吹掃氣體進行排氣;及
基板支撐部,其支撐基板,并以相對于所述氣體供給部可移動的方式被具備;且
所述基板支撐部執行包含多次分步前進及分步后退的至少一個的循環移動,在進行所述至少一個的循環移動的情況下,所述基板的最初位置與最終位置之間的循環移動距離為所述至少一個的氣體供給模塊的長度以上。
2.根據權利要求1所述的薄膜沉積裝置,其特征在于:
所述基板支撐部進行所述分步后退的分步后退距離小于所述基板支撐部進行所述分步前進的分步前進距離。
3.根據權利要求2所述的薄膜沉積裝置,其特征在于:
所述分步前進距離為0.1mm至15mm,所述分步后退距離小于所述分步前進距離。
4.根據權利要求1所述的薄膜沉積裝置,其特征在于:
在執行n次所述循環移動的情況下,
所述基板從第m-1次循環移動的最終位置向第m次循環移動的最初位置直線移動,其中n≥2且2≤m≤n。
5.根據權利要求4所述的薄膜沉積裝置,其特征在于:
所述第m次循環移動的最初位置與所述第m-1次循環移動的最初位置相同。
6.根據權利要求4所述的薄膜沉積裝置,其特征在于:
所述第m次循環移動的最初位置較所述第m-1次循環移動的最初位置移動與位移距離相同的距離。
7.根據權利要求6所述的薄膜沉積裝置,其特征在于:
所述位移距離與所述基板支撐部執行分步前進的分步前進距離不同。
8.根據權利要求1所述的薄膜沉積裝置,其特征在于:
在執行n次所述循環移動的情況下,
所述基板通過包含多次分步前進及分步后退的分步移動而從第m-1次循環移動的最終位置向第m次循環移動的最初位置移動,其中n≥2且2≤m≤n。
9.根據權利要求8所述的薄膜沉積裝置,其特征在于:
所述第m次循環移動的最初位置與所述第m-1次循環移動的最初位置相同。
10.根據權利要求8所述的薄膜沉積裝置,其特征在于:
所述第m次循環移動的最初位置較所述第m-1次循環移動的最初位置移動與位移距離相同的距離。
11.根據權利要求10所述的薄膜沉積裝置,其特征在于:
所述位移距離與所述基板支撐部執行分步前進的分步前進距離不同。
12.根據權利要求1所述的薄膜沉積裝置,其特征在于:
具備所述至少一個的氣體供給模塊的所述氣體供給部的長度為所述基板的直徑以上。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





