[實用新型]一種氣流均勻分散裝置

有效

• 申請號: 201520263342.2
• 申請日: 2015-04-28
• 公開（公告）號: CN204625783U
• 公開（公告）日: 2015-09-09
• 發明（設計）人: 徐志淮
• 申請（專利權）人: 昆山彰盛奈米科技有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

技術領域

?本實用新型涉及一種空氣分散裝置，具體涉及一種氣流均勻分散裝置。

背景技術

?Parylene是一種由真空氣相沉積聚合工藝制備的新型高分子材料，它高純、致密、并具有以下優勢：優異的防潮隔離性能，極低的介電常數（2.65），且介電常數在很寬的頻率范圍內均保持穩定，獨特的CVD制備工藝可最大程度在極細的通孔（Via）內部實現涂層厚度的均勻性。3D-Wafer產品的微觀結構緊湊，層數眾多，通孔的尺寸十分微細，僅為20~50um，同時相對深度較大，且形狀奇特，對涂層的滲透深度和內外部的均勻性要求非常高。涂層厚度只有5±0.6ｕｍ，半導體工業中通常使用的聚合物涂層在不堵塞微孔和滲入均勻性兩方面很難滿足其工藝要求。在實際的生產過程中，對3D-Wafer晶元硅通孔進行parylene涂層需要在相對特殊的設備中進行，氣流的均勻性對3D-Wafer晶元硅通孔parylene涂層的均勻性非常重要，但目前還沒有合適的低成本解決方案。

實用新型內容

本實用新型旨在提供一種氣流均勻分散裝置，在3D-Wafer晶元硅通孔涂層的設備中可以對相對集中的氣流進行分散，提供均勻的符合要求的氣流，保證涂層的均勻穩定性。

為了解決上述問題，本實用新型提供的氣流均勻分散裝置采用了如下的技術方案：

一種氣流均勻分散裝置，包括支架，其特征在于：所述的支架的兩側設有固定卡，所述的支架的外側從上到下設有通氣孔，所述的通氣孔間的間距從上到下依次減小，所述的通氣孔的開口的大小從上到下依次增大。

優選的，所述的支架內通過固定架固定有擋流板。

本實用新型的有益效果在于：在傳統的鍍膜設備上加裝本實用新型提供的氣流均勻分散裝置，對進入鍍膜設備的氣流進行分散處理，為鍍膜設備內部提供均勻的氣流，保證3D-Wafer晶元硅通孔涂層的均勻穩定性。

附圖說明

圖1為本實用新型安裝后的俯視結構示意圖。

圖2為本實用新型結構的側視圖。

圖3為本實用新型中氣流走向示意圖。

其中：1.支架；2.固定卡；3.鍍膜設備；31.入氣口；4.通氣孔；5.擋流板；51.固定架。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例對本實用新型做進一步的說明。

實施例1

如圖1和圖2所示，在本實用新型的一個實施例提供的氣流均勻分散裝置中，所述支架1通過固定卡2固定于鍍膜設備3靠近入氣口31的內壁上，所述的支架1的外側設有多個通氣孔4，所述的通氣孔4之間的間距從上到下減小，氣流阻力從上到下減小，而且為了氣流更加均勻，所述的通氣孔4的從上到下依次增大，氣體的流阻從上到下越來越小，使氣流更均勻的通入鍍膜腔室3的內部。

實施例2

實施例2對實施例1做了進一步的改進，所述的支架1內側通過固定架51固定有擋流板5，所述的擋流板5的尺寸小于支架1的尺寸，擋流板與支架間的距離可根據需要調節，進而調節入氣口31處的氣流，使其分散后再通過通氣孔進行二次分散，使進入鍍膜設備3內部的氣流更加均勻，對鍍膜的影響更小，鍍的膜更加均勻美觀可靠，提高了生產效率。

如圖3所示，將本實用新型提供的氣流均勻分散裝置安裝在鍍膜設備上，氣體從入氣口31進入后，經過擋流板5的第一次分散和通氣孔4的第二次分散后，使進入鍍膜設備3內部的氣流更加均勻，對鍍膜的影響更小，鍍的膜更加均勻美觀可靠，提高了生產效率。通過本實用新型的安裝，提供均勻的符合要求的氣流，保證3D-Wafer晶元硅通孔涂層的均勻穩定性。