[實用新型]存儲裝置

有效

• 申請號: 201520257273.4
• 申請日: 2015-04-21
• 公開（公告）號: CN204668300U
• 公開（公告）日: 2015-09-23
• 發明（設計）人: 劉曉嵐
• 申請（專利權）人: 劉曉嵐
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種存儲裝置，尤其涉及一種基于半導體進行封裝的存儲裝置，屬于半導體應用領域。

背景技術

半導體是人類當代工業發展中不可或缺的材料，通常意義上講，半導體是指常溫下導電性能介于導體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。

半導體材料可按化學組成來分，再將結構與性能比較特殊的非晶態與液態半導體單獨列為一類。按照這樣分類方法可將半導體材料分為元素半導體、無機化合物半導體、有機化合物半導體和非晶態與液態半導體。

半導體材料雖然種類繁多但有一些固有的特性，稱為半導體材料的半導體材料特性參數。這些特性參數不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差別，而且更重要的是能反映各種半導體材料之間甚至同一種材料在不同情況下特性上的量的差別。常用的半導體材料的特性參數有：禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率(載流子即半導體中參加導電的電子和空穴)、非平衡載流子壽命、位錯密度。禁帶寬度由半導體的電子態、原子組態決定，反映組成這種材料的原子中價電子從束縛狀態激發到自由狀態所需的能量。電阻率、載流子遷移率反映材料的導電能力。非平衡載流子壽命反映半導體材料在外界作用(如光或電場)下內部的載流子由非平衡狀態向平衡狀態過渡的弛豫特性。位錯是晶體中最常見的一類晶體缺陷。位錯密度可以用來衡量半導體單晶材料晶格完整性的程度。當然，對于非晶態半導體是沒有這一反映晶格完整性的特性參數的。

20世紀中葉，單晶硅和半導體晶體管的發明及其硅集成電路的研制成功，導致了電子工業革命；20世紀70年代初石英光導纖維材料和GaAs激光器的發明，促進了光纖通信技術迅速發展并逐步形成了高新技術產業，使人類進入了信息時代。超晶格概念的提出及其半導體超晶格、量子阱材料的研制成功，徹底改變了光電器件的設計思想，使半導體器件的設計與制造從“雜質工程”發展到“能帶工程”。納米科學技術的發展和應用，將使人類能從原子、分子或納米尺度水平上控制、操縱和制造功能強大的新型器件與電路，深刻地影響著世界的政治、經濟格局和軍事對抗的形式，徹底改變人們的生活方式。

由此可見，半導體材料在人類現代化工業生產中起著舉足輕重的作用，而伴隨著半導體材料進行的各種產品研發、應用、設計等都是科研人員孜孜以求的目標。伴隨著半導體材料的發展，我們認為可以有更多的應用和推廣。

實用新型內容

為了克服現有技術的不足，解決好現有技術的問題，彌補現有目前市場上現有產品的不足。

本實用新型提供了一種存儲裝置，包括多個閃存、基板以及殼體，所述基板包括內側板和外側板，所述閃存固定在內側板上，所述內側板上設置有多個端口接線區，所述外側板上設置有輸入輸出端口，所述閃存通過端口接線區連接所述輸入輸出端口。

優選的，上述閃存累放于所述內側板上。

優選的，上述閃存通過粘合劑固定在所述內側板上。

優選的，上述多個閃存通過粘合劑相互粘連。

優選的，上述殼體內填充有用于密封的樹脂。

優選的，上述殼體外壁上涂覆有防水材料層。

本實用新型提供的存儲裝置與傳統的裝置相比，本實用新型提供的存儲裝置能夠滿足大容量產品的設計需求，最大限度地減少應用端產品的設計尺寸，使用方便靈活。

附圖說明

圖1為本實用新型結構示意圖。

圖中標記：1-閃存；2-基板；3-殼體；4-內側板；5-外側板；6-端口接線區；7-輸入輸出端口。

具體實施方式

為了便于本領域普通技術人員理解和實施本實用新型，下面結合附圖及具體實施方式對本實用新型作進一步的詳細描述。

如圖1所示為本實用新型的存儲裝置結構示意圖，主體包括多個閃存1、基板2以及殼體3。

其中，所述基板2包括內側板4和外側板5，所述閃存1固定在內側板4上，所述內側板4上設置有多個端口接線區6，所述外側板5上設置有輸入輸出端口7，所述閃存1通過端口接線區6連接所述輸入輸出端口7。

如圖1所示，閃存1累放于所述內側板4上。

閃存1通過粘合劑固定在所述內側板4上。

多個閃存1通過粘合劑相互粘連。

在殼體3內填充有用于密封的樹脂。

殼體3外壁上涂覆有防水材料層。

本實用新型提供的存儲裝置與傳統的裝置相比，本實用新型提供的存儲裝置能夠滿足大容量產品的設計需求，最大限度地減少應用端產品的設計尺寸，使用方便靈活。

以上所述之具體實施方式為本實用新型的較佳實施方式，并非以此限定本實用新型的具體實施范圍，本實用新型的范圍包括并不限于本具體實施方式，凡依照本實用新型之形狀、結構所作的等效變化均在本實用新型的保護范圍內。