[實用新型]一種多梁式引線砷化鎵基肖特基倍頻二極管有效
| 申請號: | 201520253437.6 | 申請日: | 2015-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN204577433U | 公開(公告)日: | 2015-08-19 |
| 發明(設計)人: | 王俊龍;邢東;梁士雄;張立森;楊大寶;趙向陽;馮志紅 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第十三研究所 |
| 主分類號: | H01L29/872 | 分類號: | H01L29/872;H01L23/49 |
| 代理公司: | 石家莊國為知識產權事務所 13120 | 代理人: | 米文智 |
| 地址: | 050051 *** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 多梁式 引線 砷化鎵基肖特基 倍頻 二極管 | ||
1.一種多梁式引線砷化鎵基肖特基倍頻二極管,包括砷化鎵基肖特基倍頻二極管本體,其特征在于砷化鎵基肖特基倍頻二極管本體的兩端均設有多梁式引線(9),所述多梁式引線(9)包括一端連接在一起的至少兩條梁式子引線,所述梁式子引線的厚度為2μm-4μm。
2.根據權利要求1所述的一種多梁式引線砷化鎵基肖特基倍頻二極管,其特征在于所述砷化鎵基肖特基倍頻二極管本體包括半絕緣襯底層(5)、制作在半絕緣襯底層(5)上的鈍化層(1)、半絕緣襯底層(5)上外延生長的重摻雜GaAs層(6)、在重摻雜GaAs層(6)上外延生長的低摻雜GaAs層(7)、制作在低摻雜GaAs層(7)上的肖特基接觸金屬層(8)、制作在重摻雜GaAs層(6)上的歐姆接觸金屬層(3)、制作在歐姆接觸金屬層(3)上的能與梁式引線相連的金屬加厚層(4)、位于低摻雜GaAs層(7)上方的二氧化硅層(2),金屬加厚層(4)通過空氣橋連接肖特基接觸金屬(8)。
3.根據權利要求1所述的一種多梁式引線砷化鎵基肖特基倍頻二極管,其特征在于所述多梁式引線(9)包括位于同一水平面的兩條引線。
4.根據權利要求1所述的一種多梁式引線砷化鎵基肖特基倍頻二極管,其特征在于所述最外側兩條梁式子引線之間的夾角為30°-60°。
5.根據權利要求1所述的一種多梁式引線砷化鎵基肖特基倍頻二極管,其特征在于每條梁式子引線的長度為75μm-150μm。
6.根據權利要求1所述的一種多梁式引線砷化鎵基肖特基倍頻二極管,其特征在于所述多梁式引線(9)與金屬加厚層(4)的連接在空氣橋連接制作完成后經光刻、電鍍制作。
7.根據權利要求1所述的一種多梁式引線砷化鎵基肖特基倍頻二極管,其特征在于所述多梁式引線(9)成分為金。
8.根據權利要求1所述的一種多梁式引線砷化鎵基肖特基倍頻二極管,其特征在于每條梁式子引線均為長方體形。
9.根據權利要求2所述的一種多梁式引線砷化鎵基肖特基倍頻二極管,其特征在于所述鈍化層(1)為二氧化硅、氮化硅或金剛石,所述歐姆接觸金屬層(3)自下而上為Ni/Au/?Ge/Ni/Au。
10.根據權利要求2所述的一種多梁式引線砷化鎵基肖特基倍頻二極管,其特征在于所述金屬加厚層(4)的成分為Au,肖特基接觸金屬層(8)自下而上為Ti/Pt/Au。
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