[實用新型]一種基于極化場效應的無銫型AlGaN光電陰極

有效

• 申請號: 201520251037.1
• 申請日: 2015-04-20
• 公開（公告）號: CN204809182U
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發明（設計）人: 沈洋;陳亮;蘇玲愛;董艷燕
• 申請（專利權）人: 中國計量學院
• 主分類號: H01J1/34
• 分類號: H01J1/34;H01J9/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于極化場效應的無銫型AlGaN光電陰極，其整體結構組成部分由接觸極(1)、C面藍寶石襯底層(2)、P型AlN層(3)、P型AlGaN層(4)、硅元素δ摻雜層(5)、n⁺AlGaN層(6)和真空層(7)以及接觸極(8)構成；通過利用近表面的硅元素δ摻雜來實現負電子親和勢的特性，再在此結構基礎上覆蓋一層高摻雜n⁺AlGaN層來實現晶格匹配并解決自旋極化電荷在陰極表面的出現，使得經過處理后的陰極獲得負電子親和勢的特性。

2.根據權利要求1所述的一種基于極化場效應的無銫型AlGaN光電陰極，其特征在于：所述的P型AlN層(3)的厚度為500nm。

3.根據權利要求1所述的一種基于極化場效應的無銫型AlGaN光電陰極，其特征在于：所述的硅元素δ摻雜層(5)的厚度為2nm。

4.根據權利要求1所述的一種基于極化場效應的無銫型AlGaN光電陰極，其特征在于：所述的n⁺AlGaN層(6)的厚度為9nm。

5.根據權利要求1所述的一種基于極化場效應的無銫型AlGaN光電陰極，其特征在于：所述的真空層(7)的厚度為500nm。