[實用新型]半導體襯底結構、半導體封裝

有效

• 申請號: 201520250903.5
• 申請日: 2015-04-23
• 公開（公告）號: CN204632752U
• 公開（公告）日: 2015-09-09
• 發明（設計）人: 陳天賜;陳光雄;王圣民;李育穎
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

1.一種半導體襯底結構，其包括：

導電結構，其具有第一導電表面和與所述第一導電表面相對的第二導電表面；以及

電介質結構，其遮蓋所述導電結構的至少一部分，并具有第一電介質表面和與所述第一電介質表面相對的第二電介質表面，其中所述第一導電表面并非從所述第一電介質表面突出，所述第二導電表面從所述第二電介質表面凹進，其中所述電介質結構包含固化光敏樹脂或由其形成，且所述電介質結構界定在所述第二電介質表面中的電介質開口以暴露所述第二導電表面的一部分。

2.根據權利要求1所述的半導體襯底結構，其中界定所述電介質開口的側壁為曲狀的。

3.根據權利要求1所述的半導體襯底結構，其中所述電介質開口具有在所述第二電介質表面處的第一寬度和在所述電介質開口的中間部分處的第二寬度，且所述第一寬度大于所述第二寬度。

4.根據權利要求1所述的半導體襯底結構，其中所述第一導電表面從所述第一電介質表面凹進。

5.根據權利要求1所述的半導體襯底結構，其中所述半導體襯底結構的厚度介于約20μm到約60μm的范圍內。

6.根據權利要求1所述的半導體襯底結構，其中所述導電結構包含球襯墊和安置在所述球襯墊的第一表面上的金屬凸塊，且其中所述電介質開口暴露所述球襯墊的第二表面的一部分。

7.根據權利要求1所述的半導體襯底結構，其中所述導電結構進一步包含接合墊和安置在所述接合墊的表面上的導電柱。

8.根據權利要求7所述的半導體襯底結構，其中所述導電結構進一步包含晶種層和表面處理層，所述晶種層的一部分安置于所述導電柱與所述接合墊之間，所述晶種層部分的寬度小于所述導電柱的寬度，且所述表面處理層遮蓋所述導電柱并延伸到所述導電柱與所述接合墊之間的空間中。

9.根據權利要求1所述的半導體襯底結構，其中所述導電結構進一步包含在其所述第二導電表面上的凹部。

10.一種半導體封裝，其包括：

半導體襯底結構，其包括：

導電結構，其具有第一導電表面和與所述第一導電表面相對的第二導電表面；以及

電介質結構，其遮蓋所述導電結構的至少一部分，并具有第一電介質表面和與所述第一電介質表面相對的第二電介質表面，其中所述第一導電表面并非從所述第一電介質表面突出，所述第二導電表面從所述第二電介質表面凹進，其中所述電介質結構包含固化光敏樹脂或由其形成，且所述電介質結構界定在所述第二電介質表面中的電介質開口以暴露所述第二導電表面的一部分；

半導體裸片，其電連接到所述第一導電表面；以及

模塑料，其遮蓋所述半導體裸片和所述半導體襯底結構的一部分。

11.根據權利要求10所述的半導體封裝，其中界定所述電介質開口的側壁為曲狀的。

12.根據權利要求10所述的半導體封裝，其中所述電介質開口具有在所述第二電介質表面處的第一寬度和在所述電介質開口的中間部分處的第二寬度，且所述第一寬度大于所述第二寬度。

13.根據權利要求10所述的半導體封裝，其中所述第一導電表面從所述第一電介質表面凹進。

14.根據權利要求10所述的半導體封裝，其中所述半導體襯底結構的厚度是介于約20μm到約60μm范圍內。

15.根據權利要求10所述的半導體封裝，其中所述導電結構進一步具有球襯墊和安置在所述球襯墊的第一表面上的第一金屬凸塊，且所述電介質開口暴露所述球襯墊的第二表面的一部分。

16.根據權利要求10所述的半導體封裝，其中所述導電結構進一步具有接合墊和安置在所述接合墊的第一表面上的導電柱。

17.根據權利要求16所述的半導體封裝，其中所述導電結構進一步具有晶種層和表面處理層，所述晶種層的一部分安置于所述導電柱與所述接合墊之間，所述晶種層部分的寬度小于所述導電柱的寬度，且所述表面處理層遮蓋所述導電柱并延伸到所述導電柱與所述接合墊之間的空間中。

18.根據權利要求10所述的半導體封裝，其中所述導電結構進一步包含在其所述第二導電表面上的凹部。