[實用新型]一種新型卷繞鍍膜蒸發(fā)系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520250401.2 | 申請日: | 2015-04-23 |
| 公開(公告)號: | CN204608146U | 公開(公告)日: | 2015-09-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 饒海青;韓君 | 申請(專利權(quán))人: | 成都中節(jié)能反光材料有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24;C23C14/56 |
| 代理公司: | 成都金英專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51218 | 代理人: | 袁英 |
| 地址: | 610400 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 新型 卷繞 鍍膜 蒸發(fā) 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及包裝、反光材料及電容器薄膜制造的技術(shù)領(lǐng)域,特別是一種新型卷繞鍍膜蒸發(fā)系統(tǒng)。
背景技術(shù)
目前,現(xiàn)有卷繞鍍膜設(shè)備由鍍膜主輥和蒸發(fā)源組成,蒸發(fā)源設(shè)置在鍍膜主輥的正下方,蒸發(fā)源由多個整齊排列的蒸發(fā)舟組成,由于蒸發(fā)舟按一字排開,蒸發(fā)面D較窄(雖說可以通過調(diào)整其距離L,來控制D的寬窄,但距離太近,因輻射熱量太高,不符合鍍鋁工藝,且容易加大膜的形變量),現(xiàn)有卷繞鍍膜設(shè)備的蒸發(fā)系統(tǒng),其蒸發(fā)系統(tǒng)的主視圖如圖1所示,側(cè)視圖如圖2所示。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點,提供一種加大蒸發(fā)面積、提高鍍膜均勻性、提高生產(chǎn)效率的新型卷繞鍍膜蒸發(fā)系統(tǒng)。
本實用新型的目的通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn):一種新型卷繞鍍膜蒸發(fā)系統(tǒng),它包括鍍膜主輥和蒸發(fā)源,所述的蒸發(fā)源設(shè)置在鍍膜主輥的正下方,所述的蒸發(fā)源由“一”字排列的蒸發(fā)舟組成,每相鄰兩個蒸發(fā)舟均相互平行設(shè)置且每相鄰兩個蒸發(fā)舟相互錯開設(shè)置。
本實用新型具有以下優(yōu)點:本實用新型的蒸發(fā)源距鍍膜主輥的距離不變的情況下,可以有效加蒸發(fā)面,提高生產(chǎn)效率及成膜均勻性。
附圖說明
圖1?為現(xiàn)有蒸發(fā)系統(tǒng)的主視圖;
圖2?為現(xiàn)有蒸發(fā)系統(tǒng)的側(cè)視圖;
圖3?為本實用新型的主視圖;
圖4?為本實用新型的側(cè)視圖;
圖中,1-鍍膜主輥,2-蒸發(fā)源,3-蒸發(fā)舟。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖對本實用新型做進(jìn)一步的描述,本實用新型的保護(hù)范圍不局限于以下所述:
如圖3和圖4所示,一種新型卷繞鍍膜蒸發(fā)系統(tǒng),它包括鍍膜主輥1和蒸發(fā)源2,所述的蒸發(fā)源2設(shè)置在鍍膜主輥1的正下方,所述的蒸發(fā)源2由“一”字排列的蒸發(fā)舟3組成,每相鄰兩個蒸發(fā)舟3均相互平行設(shè)置且每相鄰兩個蒸發(fā)舟3相互錯開設(shè)置,因此,蒸發(fā)源2距鍍膜主輥1的距離L不變的情況下,加大了蒸發(fā)面積D、提高了鍍膜均勻性、提高了生產(chǎn)效率。
以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式,應(yīng)當(dāng)理解本實用新型并非局限于本文所披露的形式,不應(yīng)看作是對其他實施例的排除,而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境,并能夠在本文所述構(gòu)想范圍內(nèi),通過上述教導(dǎo)或相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)或知識進(jìn)行改動。而本領(lǐng)域人員所進(jìn)行的改動和變化不脫離本實用新型的精神和范圍,則都應(yīng)在本實用新型所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





