[實用新型]一種帶休眠IGBT的MMC子模塊拓撲結構

有效

• 申請號: 201520248909.9
• 申請日: 2015-04-22
• 公開（公告）號: CN204597771U
• 公開（公告）日: 2015-08-26
• 發明（設計）人: 邢長達;朱成杰;梁克靖;邢鵬飛
• 申請（專利權）人: 安徽理工大學
• 主分類號: H02M1/32
• 分類號: H02M1/32;H02M7/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.本實用新型提供了一種帶休眠IGBT的MMC子模塊拓撲結構，其特征在于，由兩個IGBT組成一個逆變半橋的結構，其中上半橋開關管由IGBT3及與之反并聯的二極管D1組成，下半橋開關管由IGBT4及與之反并聯的二極管D2組成，并另在上、下半橋開關管各并聯一個IGBT，分別為IGBT1和IGBT2，另外包括子模塊儲能電容器C。

2.根據權利要求1所述的帶休眠IGBT的MMC子模塊拓撲結構，其特征在于，休眠IGBT1的集電極與IGBT3的集電極、二極管D1的陰極、子模塊儲能電容器C是電氣連接；休眠IGBT1的發射極與休眠IGBT2的集電極、IGBT3的發射極、二極管D1的陽極、IGBT4的集電極、二極管D2的陰極是電氣連接；休眠IGBT2的發射極和IGBT4的發射極、二極管D2的陽極、子模塊儲能電容器C是電氣連接。