[實用新型]一種鍍膜設備

有效

• 申請號: 201520244970.6
• 申請日: 2015-04-21
• 公開（公告）號: CN204570023U
• 公開（公告）日: 2015-08-19
• 發明（設計）人: 張啟平;孫文波;劉同敏;夏繼泰
• 申請（專利權）人: 合肥京東方顯示光源有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: C23C14/02
• 分類號: C23C14/02;C23C14/22
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本實用新型屬于鍍膜技術領域，具體涉及一種鍍膜設備。

背景技術

TFT-LCD(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display)面板的生產制程包括陣列制程(Array?Process)。陣列制程是利用鍍膜設備在潔凈的玻璃基板上鍍上薄膜，再通過曝光、顯影等步驟在玻璃基板上制作電晶體圖案，最后進行蝕刻形成所需要的電路圖案；重復前面所述過程5-7次就完成了陣列制程。

在上述陣列制程中，玻璃基板在鍍上薄膜之前，需要對玻璃基板進行清洗，以避免雜質影響薄膜與玻璃基板之間的結合力。清洗一般是將玻璃基板依次經過去離子水、丙酮、去離子水、乙醇、去離子水的反復清洗。盡管對玻璃基板作了如此細致的清洗，但進入鍍膜腔體內的玻璃基板表面仍然會存在部分的水分子以及未洗凈的油污分子，若不對這部分水分子及油污分子做進一步去除，則會直接影響薄膜的附著力，也會影響成膜純度。

現有的解決辦法是利用濺射技術對玻璃基板表面進行濺射清洗。濺射清洗能很好地清洗掉玻璃基板上剩余的水分子及油污分子。但現有技術中，濺射清洗玻璃基板的過程是在鍍膜設備中的鍍膜腔體內進行的，從玻璃基板表面清洗掉的水分子及油污分子影響了鍍膜腔體內的清潔程度，降低了鍍膜腔體內的氣氛環境質量，影響鍍膜質量。

發明內容

本實用新型提供一種鍍膜設備，用于解決因鍍膜腔體內的氣氛環境質量較差，所導致的鍍膜質量差的問題。

為達到上述目的，本實用新型采用如下技術方案：

一種鍍膜設備，包括鍍膜腔體和濺射裝置，所述濺射裝置可對放置在所述鍍膜腔體外的待鍍膜載體噴射濺射清洗粒子。

本實用新型提供的鍍膜設備中，濺射裝置可對放置在鍍膜腔體外的待鍍膜載體噴射濺射清洗粒子，所以對待鍍膜載體的濺射清洗可以在鍍膜腔體外部進行，從而可以避免濺射清洗時清洗掉的水分子、油污分子等污染物污染鍍膜腔體內的氣氛環境，進而提高了鍍膜質量。

附圖說明

圖1為本實用新型一實施例中的鍍膜設備的結構示意圖。

圖2為本實用新型另一實施例中的鍍膜設備的結構示意圖。

圖3為本實用新型又一實施例中的鍍膜設備的結構示意圖。

圖4為本實用新型一實施例中的鍍膜設備的結構示意圖。

圖5為本實用新型一實施例中的電阻絲結構的示意圖。

圖6為本實用新型另一實施例中的電阻絲結構的示意圖。

圖7為本實用新型一實施例中的鍍膜設備的結構示意圖。

1-鍍膜腔體，2-濺射裝置，3-待鍍膜載體，4-支撐臺，5-預加熱源，6-加熱源，7-電阻絲，8-導軌，9-導向輪。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型實施例的鍍膜設備及鍍膜方法進行詳細描述。

如圖1所示的一種鍍膜設備，包括鍍膜腔體1和濺射裝置2，濺射裝置2可對放置在鍍膜腔體1外的待鍍膜載體3噴射濺射清洗粒子。

鍍膜腔體1可以是圓柱狀、長方體狀、正方體狀或其他形狀，通常鍍膜腔體1設有開口，以便于鍍膜載體進入鍍膜腔體1內進行鍍膜。濺射裝置2可以為直流濺射裝置、交流濺射裝置和磁控濺射裝置等，濺射裝置2可以產生濺射清洗所需要的濺射清洗粒子。所述濺射清洗粒子可以是離子、中性原子等，通常是帶正電荷的惰性氣體離子，例如氬離子。

濺射裝置2可以位于鍍膜腔體1的內部，通過改變濺射裝置2的噴射角度，使濺射裝置2通過鍍膜腔體1的開口，向位于鍍膜腔體1外部的待鍍膜載體3噴射濺射清洗粒子，進而實現對待鍍膜載體3的濺射清洗。濺射裝置2也可以位于鍍膜腔體1的外部，具體可以是位于待鍍膜載體3的正對面、側面、上方、下方或其他方位，在此對濺射裝置2與待鍍膜載體3的相對位置不做具體限定，應以濺射裝置2噴射的濺射清洗粒子能夠噴射到待鍍膜載體3為目的。

其中，濺射裝置2能夠將濺射粒子噴射到待鍍膜載體3上，并以濺射粒子能夠完全覆蓋待鍍膜載體3為最佳。這就限定了待鍍膜載體3的位置，即是能夠接受濺射裝置2噴射的濺射清洗粒子的位置。在使用本實施例的鍍膜設備時，是將待鍍膜載體3位于鍍膜腔體1的外部進行濺射清洗。