[實用新型]一種晶體硅太陽電池有效
| 申請號： | 201520240093.5 | 申請日： | 2015-04-20 |
| 公開（公告）號： | CN204668318U | 公開（公告）日： | 2015-09-23 |
| 發明（設計）人： | 高云峰;劉成法;劉超;張松;徐大超;王鵬磊;季海晨 | 申請（專利權）人： | 上海大族新能源科技有限公司;大族激光科技產業集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/028 | 分類號： | H01L31/028;H01L31/06;H01L21/76 |
| 代理公司： | 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 徐雯瓊;尹兵 |
| 地址： | 201114 上海市閔*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶體 太陽電池 | ||
1.一種晶體硅太陽電池，其特征在于，包含：
第一導電類型的晶體硅層；
覆蓋所述第一導電類型的晶體硅層正面及側壁的第二導電類型的晶體硅層；
減反射膜層，覆蓋位于第一導電類型的晶體硅層正面的第二導電類型的晶體硅層；
金屬電極，位于減反射膜層，與所述第二導電類型的晶體硅層電連接；
金屬背電極，覆蓋第一導電類型的晶體硅層的背面，并與第一導電類型的晶體硅層電連接；
隔離槽，環繞設置在位于第一導電類型的晶體硅層側壁的第二導電類型的晶體硅層。
2.如權利要求1所述的晶體硅太陽電池，其特征在于，還包含覆蓋所述第一導電類型的晶體硅層背面的金屬背電極。
3.如權利要求1或2所述的晶體硅太陽電池，其特征在于，所述的隔離槽的深度大于位于側壁的第二導電類型的晶體硅層的厚度。
4.如權利要求1或2所述的晶體硅太陽電池，其特征在于，所述的隔離槽的寬度小于第一導電類型的晶體硅層的厚度。
5.如權利要求1或2所述的晶體硅太陽電池，其特征在于，所述的隔離槽的深度大于1μm，小于60μm。
6.如權利要求1或2所述的晶體硅太陽電池，其特征在于，所述的隔離槽的寬度大于10μm，小于150μm。
7.如權利要求1或2所述的晶體硅太陽電池，其特征在于，所述的第一導電類型的晶體硅層的材質為P型單晶硅或P型多晶硅。
8.如權利要求1或2所述的晶體硅太陽電池，其特征在于，所述的第一導電類型的晶體硅層與第二導電類型的晶體硅層的導電類型相反。
9.如權利要求1或2所述的晶體硅太陽電池，其特征在于，所述的減反射膜層的材質為SiNx:H。
10.如權利要求2所述的晶體硅太陽電池，其特征在于，所述的金屬電極的材質為Ag，所述的金屬背電極的材質為Al。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
