[實(shí)用新型]一體式能量采集與存儲器件結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520235047.6 | 申請日: | 2015-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN204651321U | 公開(公告)日: | 2015-09-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳遠(yuǎn)寧;戴征武 | 申請(專利權(quán))人: | 寧波微能物聯(lián)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/142 | 分類號: | H01L27/142;H01L27/04 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人: | 朱俊躍 |
| 地址: | 315000 浙江省寧波市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 體式 能量 采集 存儲 器件 結(jié)構(gòu) | ||
1.一體式能量采集與存儲器件結(jié)構(gòu),其特征在于,應(yīng)用于無源自供電傳感器系統(tǒng)中,所述一體式能量采集與存儲器件結(jié)構(gòu)包括:
襯底,具有正面表面及相對于該正面表面的背面表面,且該襯底中制備有第一類型摻雜區(qū)和第二類型摻雜區(qū);
第一保護(hù)層,覆蓋在所述襯底的正面表面上;
金屬連接線,包括第一金屬連接線和第二金屬連接線,且所述第一金屬連接線貫穿所述第一保護(hù)層與位于所述第一類型摻雜區(qū)中所述襯底的正面表面接觸,所述第二金屬連接線貫穿所述第一保護(hù)層與位于所述第二類型摻雜區(qū)中所述襯底的正面表面接觸;
電容器,設(shè)置于所述襯底的背面表面上,且該電容器包括第一電極和第二電極;
第二保護(hù)層,覆蓋所述電容器暴露的表面;
金屬互聯(lián)線,包括第一金屬互聯(lián)線和第二金屬互聯(lián)線,且所述第一金屬互聯(lián)線貫穿所述第二保護(hù)層與所述第一電極連接,所述第二金屬互聯(lián)線貫穿所述第二保護(hù)層與所述第二電極連接;
其中,所述金屬連接線凸出于所述第一保護(hù)層暴露的表面,所述金屬互聯(lián)線凸出于所述第二保護(hù)層暴露的表面。
2.如權(quán)利要求1所述的一體式能量采集與存儲器件結(jié)構(gòu),其特征在于,所述電容器還包括:
絕緣層,將所述第一電極和所述第二電極予以隔離。
3.如權(quán)利要求2所述的一體式能量采集與存儲器件結(jié)構(gòu),其特征在于,所述絕緣層的材質(zhì)為高介電常數(shù)材料。
4.如權(quán)利要求3所述的一體式能量采集與存儲器件結(jié)構(gòu),其特征在于,所述絕緣層的材質(zhì)為氧化鉿、氧化硅、氧化鉭或氧化鋁。
5.如權(quán)利要求2所述的一體式能量采集與存儲器件結(jié)構(gòu),其特征在于,所述電容器包括:
若干交替疊置的金屬層;
介質(zhì)層,位于所述金屬層之間,以將相鄰的所述金屬層均予以隔離;
第一層間金屬互聯(lián)線,將奇數(shù)層的金屬層均依次連接,以構(gòu)成所述第一電極;
第二層間金屬互聯(lián)線,將偶數(shù)層的金屬層均依次連接,以構(gòu)成所述第二電極;
第一通孔介質(zhì)層,位于所述第一層間金屬互聯(lián)線與偶數(shù)層的金屬層之間;
第二通孔介質(zhì)層,位于所述第二層間金屬互聯(lián)線與奇數(shù)層的金屬層之間;
其中,所述第一電極與所述第二電極交叉疊置,以構(gòu)成所述電容器的兩個(gè)極板;所述第一通孔介質(zhì)層、所述第二通孔介質(zhì)層與所述介質(zhì)層共同構(gòu)成將所述兩個(gè)極板予以隔離的絕緣層。
6.如權(quán)利要求1所述的一體式能量采集與存儲器件結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括:
射頻天線,設(shè)置于所述第一保護(hù)層或所述第二保護(hù)層暴露的表面上,以采集能量。
7.如權(quán)利要求6所述的一體式能量采集與存儲器件結(jié)構(gòu),其特征在于,所述射頻天線包括非閉合的鉤狀結(jié)構(gòu)的射頻能量采集單元和光能量采集單元,以采集光能量和/或射頻能量。
8.如權(quán)利要求1所述的一體式能量采集與存儲器件結(jié)構(gòu),其特征在于,在位于所述第一類型摻雜區(qū)的襯底中制備有第一類型重?fù)诫s區(qū),在位于所述第二類型摻雜區(qū)的襯底中制備有第二類型重?fù)诫s區(qū),且所述第一類型重?fù)诫s區(qū)的離子濃度大于所述第一類型摻雜區(qū)中的離子濃度,所述第二類型重?fù)诫s區(qū)的離子濃度大于所述第二類型摻雜區(qū)中的離子濃度;
其中,所述第一金屬連接線與位于所述第一類型重?fù)诫s區(qū)中的襯底的表面接觸,所述第二金屬連接線與位于所述第二類型重?fù)诫s區(qū)中的襯底的表面接觸。
9.如權(quán)利要求8所述的一體式能量采集與存儲器件結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一類型摻雜區(qū)和所述第一類型重?fù)诫s區(qū)均為P型摻雜區(qū),所述第二類型摻雜區(qū)和所述第二類型重?fù)诫s區(qū)均為N型摻雜區(qū)。
10.如權(quán)利要求9所述的一體式能量采集與存儲器件結(jié)構(gòu),其特征在于,所述N型摻雜區(qū)中的離子為氬離子或磷離子,所述P型摻雜區(qū)中的離子為硼離子或氟化硼離子。
11.如權(quán)利要求1所述的一體式能量采集與存儲器件結(jié)構(gòu),其特征在于,所述襯底為半導(dǎo)體襯底或柔性材料,或玻璃基板。
12.如權(quán)利要求1所述的一體式能量采集與存儲器件結(jié)構(gòu),其特征在于,采用圖形化工藝進(jìn)行所述一體式能量采集與存儲器件結(jié)構(gòu)的?制備。
13.如權(quán)利要求1所述的一體式能量采集與存儲器件結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一保護(hù)層為氮化硅或氧化硅,所述金屬連接線的材質(zhì)為鋁,所述金屬互聯(lián)線、所述第一電極和所述第二電極的材質(zhì)均為鎢、銅或氮化鈦。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





