[實用新型]輸入高壓保護電路

有效

• 申請號: 201520231907.9
• 申請日: 2015-04-16
• 公開（公告）號: CN204559095U
• 公開（公告）日: 2015-08-12
• 發明（設計）人: 陸智強
• 申請（專利權）人: 上海錦湃電器有限公司
• 主分類號: H02H3/20
• 分類號: H02H3/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型提出了一種高壓保護電路，尤其是涉及一種利用斬波原理實現異常過壓保護的輸入高壓保護電路。

背景技術

電路在輸入電壓不穩定時，容易產生瞬間高壓，而電路中的元器件的電壓承受能力是有限的，過高的瞬時高壓會對電路中的元器件及負載造成損壞，因此需要過壓保護電路來防止這種損壞的發生。

高壓保護電路應用于輸入超高壓環境，如風力發電，太陽能發電，大型動力設備環境下工業監控設備供電的異常過壓保護。但現有技術中的高壓保護電路不僅功耗高，而且電路保護工作電壓范圍很小，使用環境受限，不利于高壓保護電路的廣泛應用，造成了大型動力設備的嚴重損壞，進而造成了巨額的經濟損失。

實用新型內容

為了解決上述問題，本實用新型提供了一種超寬輸入電壓工作范圍、功耗低的輸入高壓保護電路。本實用新型采用的技術方案如下：

輸入高壓保護電路，包括輸入濾波模塊、輸入電壓檢測模塊、驅動電路模塊、低壓選通斬波模塊、輸出濾波模塊，驅動電路模塊與輸入濾波模塊、輸入電壓檢測模塊、低壓選通斬波模塊分別相連接，輸入濾波模塊與輸入電壓檢測模塊相連接，輸出濾波模塊與低壓選通斬波模塊相連接。

進一步特征為，低壓選通斬波模塊包含第一MOSFET、第二MOSFET，第一MOSFET的漏極連接輸出濾波模塊負極，第一MOSFET的源極連接第第二MOSFET的漏極，第二MOSFET的源極連接輸入濾波模塊的負極。

進一步特征為，還包括第一穩壓管和第二穩壓管，第一穩壓管的正極連接第一MOSFET的源極，第一穩壓管的負極連接第一MOSFET的柵極，第二穩壓管的正極連接第二MOSFET的源極，第二穩壓管的負極連接第二MOSFET的柵極。

進一步特征為，輸入電壓檢測模塊包括輸入分壓電阻、第三穩壓管、用于調節第一MOSFET和第二MOSFET驅動信號的三極管，輸入分壓電阻的一端連接于輸入濾波模塊的輸出端，輸入分壓電阻的另一端經第三穩壓管與三極管基極相連接。

進一步特征為，三極管為NPN型三極管。

本實用新型同現有技術相比，具有以下優點和有益效果：

1、本實用新型采用低壓選通斬波原理，通過低壓選通斬波模塊將超過工作范圍的高電壓部分截止輸入，而在工作范圍的輸入電壓通過，保證后級電路正常工作，從而實現超寬輸入電壓工作范圍，使得本輸入高壓保護電路適用范圍更廣。

2、本實用新型提供的高壓保護電路，由于是實時采樣、實時控制，因此采樣速度快且保護延時短，自功耗低等特點。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本實用新型輸入高壓保護電路的結構示意圖；

圖2是本實用新型輸入高壓保護電路的電路連接關系示意圖。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

實施例

如圖1和圖2所示，輸入高壓保護電路，包括輸入濾波模塊1、輸入電壓檢測模塊2、驅動電路模塊3、低壓選通斬波模塊4、輸出濾波模塊5，驅動電路模塊3與輸入濾波模塊1、輸入電壓檢測模塊2、低壓選通斬波模塊4分別相連接，輸入濾波模塊1與輸入電壓檢測模塊2相連接，輸出濾波模塊5與低壓選通斬波模塊4相連接，其中，輸入電壓檢測模塊2用于檢測輸入電壓設定選通低壓，驅動電路模塊3的輸出端為低壓選通斬波模塊4提供驅動信號。

本實用新型的優選方式為：低壓選通斬波模塊4包含第一MOSFET?Q2、第二MOSFET?Q3，第一MOSFET?Q2的漏極連接輸出濾波模塊5負極，第一MOSFET?Q2的源極連接第二MOSFET?Q3的漏極，第二MOSFET?Q3的源極連接輸入濾波模塊1的負極，本實用新型中的第一MOSFET?Q2、第二MOSFET?Q3可根據實際應用需求選取Vds不同電壓等級MOSFET，在本實施例中的第一MOSFET?Q2、第二MOSFET?Q3型號為4N90C。