[實用新型]一種TO-220氣密性框架結構

有效

• 申請號: 201520228628.7
• 申請日: 2015-04-15
• 公開（公告）號: CN204668294U
• 公開（公告）日: 2015-09-23
• 發明（設計）人: 諸建周;湯為
• 申請（專利權）人: 無錫羅姆半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257
• 代理人: 李廣

技術領域

本實用新型涉及半導體制造領域，尤其涉及一種TO-220氣密性框架結構。架。

背景技術

在采用引線框架封裝半導體器件的過程中，當芯片放在引線框架的芯片部后需要進行塑封，為了使塑封后的半導體器件具有較強的氣密性，目前的引線框架通常在芯片部的邊緣開設有溝槽，并在溝槽內側設有密封槽，溝槽以及密封槽的設置可以增強引線框架與塑封料的結合強度，從而使半導體器件具有一定的氣密性能。但是目前一般設計的改外形的引線框架，塑封料與引線框架的結合力不牢固，氣密性不夠好，在浸泡、電鍍以及切筋成型等工序維持不具有更好的抗沖擊力，不能有效保證產品的可靠性。

有鑒于上述的缺陷，本設計人，積極加以研究創新，以期創設一種新型結構的TO-220氣密性框架結構，使其更具有產業上的利用價值。

實用新型內容

為解決上述技術問題，本實用新型的目的是提供一種本實用新型的目的在于解決現有技術的缺陷，提供一種防水密封性好以及抗沖擊力強的TO-220防水密封引線框架。

本實用新型的技術方案如下：

一種TO-220氣密性框架結構，包括芯片安裝部，所述芯片安裝部一端連接有散熱片，所述散熱片上設置有一圓形安裝孔，所述芯片安裝部另一端焊接有框架引線，其特征在于：所述芯片安裝部上頸正面設置有第一凹槽和第二凹槽，背面設置有第一凹槽，所述第二凹槽設置在所述第一凹槽內。

進一步的，所述第一凹槽長3.3mm寬0.9mm，所述第二凹槽長3.0mm寬0.7mm。

進一步的，所述芯片安裝部上邊框、左邊框以及右邊框設置有斜角。

進一步的，所述斜角的角度為15°。

進一步的，所述斜角的深度為0.16±0.02mm。

進一步的，所述芯片安裝部上設置有第一正方形和第二正方形，其中所述第二正方形位于所述第一正方形內部。

進一步的，所述第一正方形和第二正方形間距為0.1mm。

進一步的，所述第一正方形和第二正方形的壓痕深度為0.16mm±0.02。

借由上述方案，本實用新型至少具有以下優點：

(1)設置的第一凹槽和第二凹槽可以是頸部更好的跟塑料結合，并減少切筋切除散熱固定部多余的銅材傳來應力的影響。

(2)增大了組裝面積，有原來的最大組裝為寬6.0mm高4.5mm的最大芯片面積，改變后可以增加到寬6.5mm高4.7mm的最大芯片面積。

上述說明僅是本實用新型技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本實用新型的技術手段，并可依照說明書的內容予以實施，以下以本實用新型的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。

附圖說明

圖1本使用新型結構示意圖；

圖2本使用新型上頸放大示意圖；

圖3本使用新型上邊框、左邊框以及右邊框斜角示意圖；

具體實施方式

下面結合附圖和實施例，對本實用新型的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本實用新型，但不用來限制本實用新型的范圍。

參見圖1，本實用新型一較佳實施例所述的一種一種TO-220氣密性框架結構，包括芯片安裝部1，所述芯片安裝部1一端連接有散熱片2，所述散熱片2上設置有一圓形安裝孔3，所述芯片安裝部1另一端焊接有框架引線4，所述芯?片安裝部上頸5正面設置有第一凹槽502和第二凹槽501，背面設置有第一凹槽502，所述第二凹槽501設置在所述第一凹槽502內，參見圖2，其中第一凹槽502長3.3mm寬0.9mm，所述第二凹槽501長3.0mm寬0.7mm。參見圖3，芯片安裝部1上邊框、左邊框以及右邊框設置有斜角103，其中斜角的角度為15°，斜角的深度為0.16±0.02mm。芯片安裝部1上設置有第一正方形101和第二正方形102，其中所述第二正方形102位于所述第一正方形101內部，第一正方形101和第二正方形102間距為0.1mm，第一正方形101和第二正方形102的壓痕深度為0.16mm±0.02。

以上所述僅是本實用新型的優選實施方式，并不用于限制本實用新型，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型技術原理的前提下，還可以做出若干改進和變型，這些改進和變型也應視為本實用新型的保護范圍。