[實用新型]一種超低靜態功耗的線性穩壓器有效
| 申請號: | 201520221486.1 | 申請日: | 2015-04-13 |
| 公開(公告)號: | CN204650334U | 公開(公告)日: | 2015-09-16 |
| 發明(設計)人: | 劉博;楊駿;張海英 | 申請(專利權)人: | 南京中科微電子有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
| 地址: | 210046 江蘇省南京市玄武區玄武大*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 靜態 功耗 線性 穩壓器 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種超低靜態功耗的線性穩壓器,屬于電源管理芯片技術領域。
背景技術
隨著便攜式電子產品的飛速發展,電源管理芯片系統在移動電子產品中扮演越來越重要的角色。在各種電源管理芯片系統中,低壓差線性穩壓器以其電路結構簡單、占用芯片面積小、高電源抑制比以及低噪聲等優點,牢牢占據著電源管理市場很大的份額,大多數系統都會在其內部集成一個乃至多個線性穩壓器來為各個模塊供電。隨著電子產品功能的日益復雜與多樣化,消費市場對其性能的要求也在不斷提高
但是目前市場上線性穩壓器的靜態功耗比較大,電源效率較低,無法滿足便攜式電子產品的續航要求。隨著電子產品功能的多樣化,對電源管理芯片系統的要求也越來越高,尤其是降低系統功耗,提高產品的待機時間。這也對線性穩壓器的設計帶來更大的挑戰。
實用新型內容
目的:為了克服現有技術中存在的不足,本實用新型提供一種超低靜態功耗的線性穩壓器。
技術方案:為解決上述技術問題,本實用新型采用的技術方案為:
一種超低靜態功耗的線性穩壓器,包括誤差放大器、MOS管、反饋電路、帶隙基準模塊、過溫保護電路模塊,所述帶隙基準模塊引腳包括VIN、VTH1、VTH2、Vbias、Vref,所述過溫保護電路模塊引腳包括VIN、Vbias、VTH1、VTH2、Temp_ctrl,所述帶隙基準模塊的VTH1、VTH2、Vbias引腳與過溫保護電路模塊的VTH1、VTH2、Vbias引腳相連接,所述帶隙基準模塊的VIN引腳與過溫保護電路模塊的VIN引腳均與電壓輸入端相連接,所述帶隙基準模塊的Vref引腳與誤差放大器的輸入端相連接,所述過溫保護電路模塊的Temp_ctrl引腳與誤差放大器的使能端相連接,所述誤差放大器輸出端與MOS管柵極相連接,MOS管源極與電壓輸入端相連接,MOS管漏極設置為電壓輸出端,電壓輸出端與接地之間并聯有反饋電路,所述反饋電路包括第一反饋電阻、第二反饋電阻,第一反饋電阻、第二反饋電阻相串聯,第一反饋電阻、第二反饋電阻之間與誤差放大器另一輸入端相連接。
所述帶隙基準模塊包括MOS管、三極管、電阻,所述MOS管包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管,所述三極管包括:第一三極管、第二三極管,所述電阻包括:第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻;所述第一MOS管、第二MOS管的源極均接入電壓輸入端,第一MOS管、第二MOS管的柵極相連接,第一MOS管、第二MOS管的漏極與柵極相短接,所述第一MOS管、第二MOS管的短接公共點設置為Vbias端口,第一MOS管、第二MOS管短接點分別與第三MOS管、第四MOS管的源極相連接,第三MOS管、第四MOS管的柵極相連接,第四MOS管的漏極與柵極相短接,第四MOS管短接公共點與第六MOS管的漏極相連接,第五MOS管的漏極與柵極相短接,第三MOS管的漏極與第五MOS管的短接公共點相連接,第五MOS管與第六MOS管的柵極相連接,第七MOS管的漏極與柵極相短接,第五MOS管的源極與第七MOS管的短接公共點相連接,第六MOS管的源極與第八MOS管的漏極相連接,第七MOS管、第八MOS管的柵極相連接,第七MOS管、第八MOS管源極分別與第一三極管、第二三極管的集電極相連接,第一三極管、第二三極管的基極相連接,基極公共點作為Vref端口,第一三極管發射極分別與第二電阻、第三電阻、第四電阻串聯后接地,第一電阻與第一三極管的基極、發射極相并聯,接入第二三極管發射極后與第二電阻、第三電阻、第四電阻串聯;第二電阻下端作為VTH2端口,第三電阻下端作為VTH1端口。
還包括啟動電路,所述啟動電路包括第九MOS管,第十MOS管,第十一MOS管,第九MOS管源極接入電壓輸入端,第九MOS管,第十MOS的管柵極相連接,第九MOS管,第十MOS管柵極公共點與第七MOS管,第八MOS管柵極公共點相連接,第九MOS管,第十MOS管的漏極相連接,第九MOS管,第十MOS管的漏極公共點與第十一MOS管柵極相連接,第十一MOS管漏極與第一MOS管、第二MOS管柵極公共點相連接,第十MOS管,第一MOS管的源極均接地。
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