[實用新型]一種倒裝LED芯片

有效

• 申請號: 201520219256.1
• 申請日: 2015-04-13
• 公開（公告）號: CN204577455U
• 公開（公告）日: 2015-08-19
• 發明（設計）人: 劉興華
• 申請（專利權）人: 廈門市晶田電子有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;H01L33/60;H01L33/44;H01L33/46
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務所 44275
• 代理人: 張明

1.一種倒裝LED芯片，其特征在于，包括藍寶石襯底、n型GaN層、量子阱MWQ層、p型GaN層、Si基板、焊接層、反射層、過渡層和歐姆電極，所述n型GaN層、量子阱MWQ層和p型GaN層分別依次設置于藍寶石襯底上，所述焊接層包括第一焊接層和第二焊接層，所述歐姆電極包括n型電極和p型電極，所述n型GaN層遠離藍寶石襯底的一面包括第一表面和第二表面，所述量子阱MWQ層和p型GaN層依次設置于第一表面上，所述p型電極設置于p型GaN層上并通過第一焊接層與Si基板連接，所述n型電極設置于第二表面上并通過第二焊接層與Si基板連接，所述藍寶石襯底遠離n型GaN層的一面具有粗化結構，所述Si基板與第一焊接層、第二焊接層之間分別設有反射層，所述過渡層設置于反射層與第一焊接層之間。

2.根據權利要求1所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述反射層的材質為Ag或Al，所述過渡層為AlN過渡層。

3.根據權利要求1所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述粗化結構為表面具有倒梯形、倒錐形或倒三角形的凸起。

4.根據權利要求1所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述藍寶石襯底與n型GaN層之間設有緩沖層。

5.根據權利要求1所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述倒裝LED芯片的長寬比為1:2-3。

6.根據權利要求1所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述量子阱MWQ層與p型GaN層之間設有隔離層，所述隔離層為SiO₂和Ti₃O₅交替形成的疊層，所述疊層的數目為2-18。