[實用新型]太陽能電池的柵線結構有效
| 申請號: | 201520218107.3 | 申請日: | 2015-04-13 |
| 公開(公告)號: | CN204614793U | 公開(公告)日: | 2015-09-02 |
| 發明(設計)人: | 陶龍忠;李海波;胡亞洲;楊灼堅;張堯 | 申請(專利權)人: | 蘇州潤陽光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 結構 | ||
技術領域
本實用新型屬于太陽能電池領域,具體涉及到一種太陽能電池的柵線結構。
背景技術
現在傳統的太陽能電池正面電極制造工藝普遍采用的是絲網印刷技術,采用的漿料是昂貴銀漿,使得太陽能電池的制造成本居高不下。同時由于網版的局限性,印刷出來的柵線高寬比較小,使得串阻與遮光面積較大,從而影響電池的轉換效率。
采用金屬絲代替銀漿可以降低制造成本,并提升轉換效率。該柵線是由金屬絲編織而成,在金屬絲上先涂有一層銀膠,再涂有一層銀漿,保證了銀漿和金屬絲之間優異的粘接力,同時也保證了副柵線與硅片良好歐姆接觸;用于主柵線上的銀漿不含玻璃料,以保證主柵線在與硅片有良好的附著力的同時,能減少了主柵線下少數載流子的復合,從而提升轉換效率。與現有技術相比,本實用新型大幅度減小了銀漿的用量,從而能夠節省更多昂貴的正面漿料,有效的降低了生產成本,同時也能保證柵線優異的高寬比,杜絕了斷柵和虛印的可能性,進而提高了太陽能電池片的光電轉換效率,并且適宜工業化大規模生產。
????對比文獻CN?203415589?U(授權公告號)提出了“一種太陽能電池片的柵線結構”。該方案利用接觸電極和連接接觸電極的金屬絲,金屬絲位于各接觸電極上方形成橋架式結構;接觸電極在太陽能電池片表面呈點陣式分布,且由銀漿通過印刷后燒結而成。但是,從該太陽電池柵線的結構分析,用該方法制作的柵線仍然存在問題。原因是未與接觸電極接觸的金屬絲與硅片的附著力大大削弱了,并最終使太陽能電池的效率降低。
對比文獻CN?202473942?U(授權公告號)提出了“高效太陽能電池結構”。該方案利用通過鋪設一層銀絲網,將銀漿鋪設銀絲網上。但是,從該太陽電池柵線的結構分析,用該方法制作的柵線仍然存在問題。原因是銀絲與銀漿的附著力不夠,并最終使太陽能電池的效率降低。
發明內容
為了克服上述缺陷,本實用新型提供了一種太陽能電池的柵線結構,解決了網版的局限性,杜絕了斷柵、虛印的可能性和優異的焊接拉力。
本實用新型為了解決其技術問題所采用的技術方案是:一種太陽能電池的柵線結構,包括由主柵線和副柵線編織成網狀形成的柵線電極結構,所述主柵線和副柵線為金屬絲,在金屬絲的表面依次涂上一層導電銀膠和銀漿。
作為本實用新型的進一步改進,所述金屬絲由金絲、銀絲、銅絲、錫絲、鋁絲、鈦絲和含碳的導電纖維中的一種或多種組分。
作為本實用新型的進一步改進,用于副柵線的金屬絲的寬度為10微米到90微米,高度為10微米到90微米。
作為本實用新型的進一步改進,用于主柵線的金屬絲的寬度為1毫米到2毫米,高度為10微米到90微米。
作為本實用新型的進一步改進,導電銀膠主要組成成分是樹脂和導電填充料。
作為本實用新型的進一步改進,用于主柵線的金屬絲表面的銀漿不含玻璃料,所述用于副柵線的金屬絲含有玻璃料。
作為本實用新型的進一步改進,銀漿和導電銀膠厚度均為5微米到30微米。
本實用新型的有益效果是:本實用新型是由金屬絲編織而成,在金屬絲上先涂有一層銀膠,再涂有一層銀漿,保證了銀漿和金屬絲之間優異的粘接力,同時也保證了副柵線與硅片良好歐姆接觸;用于主柵線上的銀漿不含玻璃料,保證了主柵線與硅片有良好的附著力和好的電流收集能力,也減少了主柵線下面少數載流子的復合。
附圖說明
圖1為本實用新型的柵線結構截面示意圖;
圖2為本實用新型的柵線結構平面示意圖;
圖中標示:1-銀漿;2-導電銀膠;3-金屬絲;31-主柵線;32-副柵線。
具體實施方式
為了加深對本實用新型的理解,下面將結合實施例和附圖對本實用新型作進一步詳述,該實施例僅用于解釋本實用新型,并不構成對本實用新型保護范圍的限定。
實施例:
一種太陽能電池的柵線結構的實施方法,具體如以:優選地,所述金屬絲3為銀絲,用于細柵的銀絲的直徑為40微米,用于主柵柵線的金屬絲直徑為1毫米,將銀絲等間距排列形成金屬絲網的柵線結構,如圖2所示。在主柵線31、副柵線32的表面涂有一層5微米厚的導電銀膠2,在主柵線31上涂上一層5微米不含玻璃料的銀漿1,在副柵線32上涂上一層5微米含有玻璃料的銀漿1,最后通過燒結爐烘干和燒結形成所需要的柵線結構。通過此方法,可以有效降低發電成本,提高發電效率。
上述僅為本實用新型的實施例,當然,根據實際需求和進一步的改進還可以有其他實施方法。但是,應該明確的是,基于類似上述的或者其他沒有表述出的具有相同構思的實施方法的變換,均應包涵在本發明權利要求的保護范圍之內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





