[實用新型]在PINA端檢測平均光功率的電路

有效

• 申請號: 201520205968.8
• 申請日: 2015-04-08
• 公開（公告）號: CN204559577U
• 公開（公告）日: 2015-08-12
• 發明（設計）人: 陳偉
• 申請（專利權）人: 廈門優迅高速芯片有限公司
• 主分類號: H04B10/075
• 分類號: H04B10/075
• 代理公司: 廈門市首創君合專利事務所有限公司 35204
• 代理人: 楊依展

1.在PINA端檢測平均光功率的電路，其特征在于包括：輸入端為柵極的跨阻前端放大電路和負反饋網絡；

輸入端為柵極的跨阻前端放大電路將PINK端輸入的電流I_PD轉化為電壓信號V_OUT輸出，并且在PINK端產生電壓信號V_PINA；

所述負反饋網絡包括第一運放I0和第二運放I1；所述電壓信號V_OUT輸入第二運放I1的負極輸入端；所述電壓信號V_PINA輸入第一運放I0的正極輸入端；所述第一運放I0的負極輸入端與第二運放I1的正極輸入端之間連接第一電阻R_f'，其阻值與跨阻R_f相同。

2.根據權利要求1所述的在PINA端檢測平均光功率的電路，其特征在于：所述電壓信號V_PINA和電壓信號V_OUT與第一運放I0、第二運放I1之間分別設有第一RC濾波電路和第二RC濾波電路。

3.根據權利要求2所述的在PINA端檢測平均光功率的電路，其特征在于：所述第一運放I0的輸出端與第一MOS管M1的柵極連接，所述第一MOS管M1的源極與第一運放I0的負極輸入端連接，漏極與電流輸出端MON連接。

4.根據權利要求3所述的在PINA端檢測平均光功率的電路，其特征在于：所述第二運放I1的輸出端與第二MOS管M0的柵極連接，所述第一MOS管M0的源極接地。

5.根據權利要求4所述的在PINA端檢測平均光功率的電路，其特征在于：所述第一電阻R_f'和跨阻R_f的兩端分別與第三MOS管Mf、第四MOS管Mf’并聯；第三MOS管Mf與第四MOS管Mf’擁有相同的寬長比。

6.根據權利要求5所述的在PINA端檢測平均光功率的電路，其特征在于：所述第一MOS管M1、第二MOS管M0、第三MOS管Mf、第四MOS管Mf’為NMOS管。

7.根據權利要求1所述的在PINA端檢測平均光功率的電路，其特征在于：所述第一運放I0、第二運放I1的功耗遠小于跨阻前端放大電路的功耗。

8.根據權利要求1所述的在PINA端檢測平均光功率的電路，其特征在于：所述第一運放I0、第二運放I1的環路增益遠大于1。