[實用新型]一種AlGaN/GaN HEMT壓力傳感器

有效

• 申請號: 201520205686.8
• 申請日: 2015-04-07
• 公開（公告）號: CN204607576U
• 公開（公告）日: 2015-09-02
• 發明（設計）人: 王凱;程知群;董志華;劉國華;周濤;柯華杰
• 申請（專利權）人: 杭州電子科技大學
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 杜軍

1.一種AlGaN/GaN?HEMT壓力傳感器；包括襯底、h-BN移除層、AlN緩沖層、?GaN溝道層、隔離層AlN、非摻雜Al_0.3Ga_0.7N勢壘層和帽層GaN；

其特征在于：所述的h-BN移除層下方粘貼有開有孔洞的金屬銅襯底，h-BN移除層上生長AlN緩沖層；接著在AlN緩沖層上面外延生長GaN溝道層；之后在溝道層GaN上外延生長隔離層AlN，接著在隔離層AlN上外延生長非摻雜Al_0.3Ga_0.7N勢壘層和帽層GaN；帽層上設有AlGaN/GaN?HEMT的柵極、源極和漏極；

所述的h-BN移除層厚度為3nm；

所述的AlN緩沖層厚度為100nm；

所述的GaN溝道層厚度為1.9μm；

所述的AlN隔離層厚度為1nm；

所述的Al_0.3Ga_0.7N勢壘層厚度為20nm；

所述的GaN帽層厚度為2nm。

2.根據權利要求1所述的一種AlGaN/GaN?HEMT壓力傳感器，其特征在于：所述的柵極金屬為Ni或者Au，源極和漏極金屬為鈦、鋁、鎳、金中的一種。

3.根據權利要求1所述的一種AlGaN/GaN?HEMT壓力傳感器，其特征在于：所述的源極為一個圓形結構，直徑50μm；柵極與源極為同心的開口圓環，內徑和外徑分別為150和200μm；漏極與源極為同心的開口圓環，內徑和外徑分別為250和300μm。