[實用新型]一種基于去嵌入法測量硅通孔電特性的測量結構有效
| 申請號： | 201520200577.7 | 申請日： | 2015-04-03 |
| 公開（公告）號： | CN204556783U | 公開（公告）日： | 2015-08-12 |
| 發明（設計）人： | 李爾平;李永勝;楊德操;魏興昌 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人： | 林超;林懷禹 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 嵌入 測量 硅通孔電 特性 結構 | ||
1.一種基于去嵌入法測量硅通孔電特性的測量結構，包括硅襯底（1）、底面RDL導體（2）、通過底面RDL導體（2）連接的待測TSV結構、凸起（4）和測試引腳（6），待測TSV結構由對稱分布在兩側的兩組待測硅通孔柱構成，待測TSV結構包括信號待測TSV結構（3）和地待測TSV結構（12），其特征在于：
對于二端口及多端口互聯結構，同一側的信號待測TSV結構（3）和地待測TSV結構（12）中心連線的垂直平分線上布置有隔離TSV結構，隔離TSV結構用于隔離垂直的待測TSV結構與水平的底面RDL導體（2）之間的電磁耦合，隔離TSV結構主要由間隔布置的金屬硅通孔柱構成，所有金屬硅通孔柱兩側對稱；隔離TSV結構為內側隔離TSV結構（5）或者內側隔離TSV結構（5）與外側隔離TSV結構（10）兩者的結合，內側隔離TSV結構（5）位于互聯內側（5），外側隔離TSV結構（10）位于互聯外側（10）。
2.根據權利要求1所述的一種基于去嵌入法測量硅通孔電特性的測量結構，其特征在于：所述的硅襯底（1）上頂面設有頂部襯底絕緣層（8），硅襯底（1）下底面與底面RDL導體（2）之間設有底部襯底絕緣層（9），隔離TSV結構的金屬硅通孔柱貫通硅襯底（1），不進入硅襯底（1）上、下的頂部襯底絕緣層（8）和底部襯底絕緣層（9）中。
3.根據權利要求1或2所述的一種基于去嵌入法測量硅通孔電特性的測量結構，其特征在于：所述的信號待測TSV結構（3）和地待測TSV結構（12）中心連線中點與離待測TSV結構最近的金屬硅通孔柱中心之間的距離大于待測TSV結構的單個待測硅通孔柱與隔離TSV結構的單個金屬硅通孔柱的半徑之和。
4.根據權利要求1或2所述的一種基于去嵌入法測量硅通孔電特性的測量結構，其特征在于：所述的相鄰的金屬硅通孔柱之間的間隙大于等于金屬硅通孔柱的直徑。
5.根據權利要求1或2所述的一種基于去嵌入法測量硅通孔電特性的測量結構，其特征在于：所述的隔離TSV結構的金屬硅通孔柱與襯底（1）之間設有氧化絕緣層（7）。
6.根據權利要求1或2所述的一種基于去嵌入法測量硅通孔電特性的測量結構，其特征在于：所述的隔離TSV結構的金屬硅通孔柱采用功函數與硅接近的金屬，隔離TSV結構與硅襯底（1）之間形成歐姆接觸層（11）。
7.根據權利要求6所述的一種基于去嵌入法測量硅通孔電特性的測量結構，其特征在于：所述的功函數與硅接近的金屬為金或者鉑，金屬硅通孔柱與硅襯底（1）之間形成歐姆接觸層（11）。
8.根據權利要求1或2所述的一種基于去嵌入法測量硅通孔電特性的測量結構，其特征在于：在所述隔離TSV結構的周圍對硅襯底（1）進行重摻雜，金屬硅通孔柱與硅襯底（1）之間形成歐姆接觸層（11）。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江大學，未經浙江大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201520200577.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種電路模塊測量轉接裝置
- 下一篇：一種在裝片工序在線測試熱阻的裝置
