[實用新型]顯示面板及像素陣列有效
| 申請號: | 201520197570.4 | 申請日: | 2015-04-02 |
| 公開(公告)號: | CN204464288U | 公開(公告)日: | 2015-07-08 |
| 發明(設計)人: | 吳建霖 | 申請(專利權)人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 趙根喜;李昕巍 |
| 地址: | 201500 上海市金山區*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 像素 陣列 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種顯示面板的制作技術領域,尤其涉及一種顯示面板的像素陣列以及排列方法。
背景技術
AMOLED屏幕是指以AMOLED材料為主的屏幕,AMOLED(Active?Matrix/Organic?Light?Emitting?Diode)是有源矩陣有機發光二極體面板?,F有的AMOLED的顯示面板的像素陣列一般有多種。
圖1是一種現有的顯示面板的像素陣列示意圖,如圖1示出了一種現有的三角形排列的顯示面板結構,多個RGB的三色子像素構成了子像素陣列,反斜線的陰影部分101代表一種顏色的子像素,例如為紅色子像素,正斜線的陰影部分102代表一種顏色的子像素,例如為綠色子像素,斜格組成的陰影部分103代表一種顏色的子像素,例如為藍色子像素。圖1中的子像素陣列結構中任一行的子像素與相鄰行的子像素交錯布置,例如行R1與相鄰的行R2的子像素之間為交錯布置,行R2與相鄰的行R3的子像素之間為交錯布置。子像素陣列一行的兩子像素與相鄰行的一相鄰的子像素成三角形排列,以構成一像素,例如圖1中行R1的紅色子像素101以及綠色子像素102與行R2的藍色子像素103構成。
但是現有的AMOLED的顯示設備,由于現有的精細金屬掩膜(Fine?Metal?Mask)在制造工藝上的限制。造成高分辨率(pixel?per?inch)的設備,像素之間還相互干涉,造成顯示分辨效果不佳,并且分辨率受限的問題。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種顯示面板的像素陣列以及方法,用以解決現有的精細金屬掩膜(Fine?Metal?Mask)在制造工藝上的限制,造成高分辨率(pixel?per?inch)的設備,像素之間還相互干涉,造成顯示分辨效果不佳,并且分辨率受限的問題。
本實用新型的一種顯示面板的像素陣列,包括:一種像素陣列結構,包括:多個子像素單元,所述多個子像素單元布置成NxM的第一子像素陣列,該第一子像素陣列的任一行的連續的三個子像素單元的顏色均不同,任一行的子像素單元與相鄰行的子像素單元交錯布置,其中M和N均為正整數;所述多個子像素單元中的每個子像素單元均以相同方式沿行向和列向分成四部分,構成2x2的陣列,所述四個部分的行向寬度均相等,所述四個部分中兩對角部分不透光,另兩對角部分分別形成同色的子像素,從而得到2Nx2M的第二子像素陣列,該第二子像素陣列中同一行的兩子像素之間被一不透光的該部分間隔;該第二子像素陣列每兩相鄰行為一組,每組中一行中的兩相鄰的子像素與相鄰行的一相鄰的第二子像素成三角形排列構成一像素,以形成該顯示面板的像素陣列。
根據本實用新型的像素陣列的一實施例,其中,該第一子像素陣列中的每一該子像素單元分別沿行向和列向等分為該四部分。
根據本實用新型的像素陣列的一實施例,其中,該第一子像素陣列的每一該子像素單元的列向排列有兩發光二極管,該兩發光二極管分別與該第二子像素陣列中的該像素中該兩同色子像素對應。
根據本實用新型的像素陣列的一實施例,其中,該第一子像素陣列的該子像素單元的兩對角部分被光阻劑遮擋。
根據本實用新型的像素陣列的一實施例,其中,該第二子像素陣列的子像素的列向寬度大于等于該該第一子像素陣列的子像素單元的列向的寬度的二分之一,小于該第一子像素陣列的該子像素單元的列向的寬度。
本實用新型另外一種顯示面板的像素陣列,其中,包括:多個子像素布置成NxM的子像素陣列,三色子像素成三角形排列的構成一像素,其中M和N均為正整數;任一行的連續的三個子像素的顏色均不同,該多個子像素之間的行向寬度以及列向寬度相同,且任一行和列的兩相鄰子像素均具有一不透光的間隔,形成該子像素陣列的每一行的該子像素和該間隔交錯布置,以及每一列的該子像素和該間隔交錯布置,且該間隔的行向寬度與該子像素的行向寬度相等。
本實用新型一種顯示面板,其包括上述的顯示面板的像素陣列。
本實用新型一種顯示器,其包括上述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





