[實(shí)用新型]改善斜坡金屬反光的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520190458.8
• 申請日: 2015-04-01
• 公開（公告）號: CN204558443U
• 公開（公告）日: 2015-08-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 沈建樹;黃小花;翟玲玲;錢靜嫻;王曄曄;李玥
• 申請（專利權(quán)）人: 華天科技（昆山）電子有限公司
• 主分類號: H01L23/24
• 分類號: H01L23/24;H01L23/047
• 代理公司: 昆山四方專利事務(wù)所 32212
• 代理人: 盛建德;段新穎

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及晶圓級封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體是涉及一種改善斜坡金屬反光的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

一些晶圓級封裝中，往往要在襯底(半導(dǎo)體基底或具有功能面的晶圓或芯片)上刻出具有斜坡狀側(cè)壁的凹槽，該凹槽用于降低封裝高度或用于暴露晶圓導(dǎo)電焊墊等。在形成金屬線路時，可將半導(dǎo)體基底表面焊盤與凹槽內(nèi)容置的芯片焊墊電性連接，降低封裝高度，也可將襯底一表面的導(dǎo)電焊墊的電性引到凹槽槽底，或者引到另一表面，比如，將晶圓的功能面的導(dǎo)電焊墊的電性引到晶圓的非功能面，這樣，金屬線路必須通過凹槽的斜坡狀側(cè)壁。金屬線路的形成過程通常為，先整面鋪設(shè)金屬種子層，以光刻工藝形成預(yù)設(shè)圖案，然后通過刻蝕制程形成金屬線路，后續(xù)再電鍍其他金屬。

然而，在整面金屬種子層上通過光刻工藝形成圖案時，凹槽一斜坡狀側(cè)壁上如果不設(shè)金屬線路，該斜坡狀側(cè)壁上的正光阻材料會受曝光作用，該位置光阻層下的金屬層會反光，容易導(dǎo)致對面斜坡狀側(cè)壁上的光阻層感光，產(chǎn)生不必要的光阻反應(yīng)，從而引起金屬線路斷路，破壞金屬布線。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提出一種改善斜坡金屬反光的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，能夠確保凹槽兩相對斜坡狀側(cè)壁上的光阻層受曝光情況一致，從而有效防止金屬線路對面斜坡狀側(cè)壁的金屬反光，確保金屬布線不被破壞。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種改善斜坡金屬反光的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，包括一襯底，所述襯底一表面上形成有至少一凹槽，所述凹槽包括槽底和至少一對相對的斜坡狀側(cè)壁，所述凹槽的開口尺寸大于槽底尺寸，所述凹槽的至少一側(cè)壁上具有金屬線路，所述凹槽與該側(cè)壁相對的另一側(cè)壁上形成有與所述金屬線路位置相對的輔助金屬圖案。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述襯底為沒有功能面的半導(dǎo)體基底或具有功能面的晶圓或具有功能面的單顆芯片。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述輔助金屬圖案的面積不小于與其相對的金屬線路的面積。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述襯底為具有功能面的晶圓時，所述晶圓包括若干個芯片單元，所述凹槽形成于所述晶圓功能面或非功能面相鄰兩芯片單元之間，所述凹槽具有一對相對的所述側(cè)壁。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述凹槽形成于所述晶圓功能面相鄰兩芯片單元之間時，所述晶圓功能面及所述凹槽內(nèi)壁上鋪設(shè)有暴露晶圓功能面焊墊的絕緣層；所述晶圓功能面的絕緣層上形成有與晶圓焊墊電性連接的金屬布線層，所述金屬布線層包括所述金屬線路，該金屬線路沿所述凹槽的至少一側(cè)壁延伸至所述凹槽的槽底，所述凹槽與該側(cè)壁相對的另一側(cè)壁上形成有與所述金屬線路位置相對的所述輔助金屬圖案。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述凹槽形成于所述晶圓非功能面相鄰兩芯片單元之間時，所述晶圓非功能面及所述凹槽內(nèi)壁上鋪設(shè)有暴露晶圓功能面焊墊的絕緣層；所述晶圓非功能面的絕緣層上形成有金屬布線層，所述金屬布線層包括所述金屬線路，該金屬線路沿所述凹槽的至少一側(cè)壁延伸至所述焊墊，所述凹槽與該側(cè)壁相對的另一側(cè)壁上形成有與所述金屬線路位置相對的所述輔助金屬圖案。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述輔助金屬圖案為一金屬塊，所述金屬塊至少與相鄰兩條所述金屬線路相對。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述金屬塊由所述凹槽的槽底延伸到形成該凹槽的晶圓表面上。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述金屬布線層上鋪設(shè)有保護(hù)層，所述保護(hù)層上形成有作為所述金屬布線層與外部件連接窗口的焊球。

本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型提供一種改善斜坡金屬反光的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，通過在沒有金屬線路的凹槽一斜坡狀側(cè)壁上形成與對面斜坡狀側(cè)壁的金屬線路相對的輔助金屬圖案，能夠確保凹槽兩相對斜坡狀側(cè)壁上的光阻層受曝光情況一致，從而有效防止金屬線路對面斜坡狀側(cè)壁的金屬反光，確保金屬布線不被破壞。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例1改善斜坡金屬反光的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例2改善斜坡金屬反光的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例3中單個金屬線路對應(yīng)單個金屬塊的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為圖3中AA’向剖面示意圖；

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例3中多條金屬線路對應(yīng)大片金屬塊的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例3中金屬線路延展形成大片金屬塊的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為圖5中BB’向剖面示意圖。

結(jié)合附圖，作以下說明：

1——半導(dǎo)體基底??????????2——凹槽