[實用新型]一種發光二極管的新型窗口層結構

有效

• 申請號: 201520187994.2
• 申請日: 2015-03-31
• 公開（公告）號: CN204632793U
• 公開（公告）日: 2015-09-09
• 發明（設計）人: 顏慧
• 申請（專利權）人: 山西南燁立碁光電有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14
• 代理公司: 太原高欣科創專利代理事務所(普通合伙) 14109
• 代理人: 吳立

技術領域

本實用新型涉及一種發光二極管的新型窗口層結構，屬于發光二極管技術領域。

背景技術

發光二極管(Light-Emitting?Diode，LED)是一種能發光的半導體電子元件，具有體積小、能耗低、壽命長、環保耐用等優點。隨著技術的不斷進步，發光二極管已被廣泛的應用于顯示器、電視機/采光裝飾和照明。近年來，對于大功率照明發光二極管的研究已經成為趨勢，然而傳統結構的發光二極管芯片存在電流擁擠、電壓過高和散熱難等缺點，影響發光二極管的發光效率。常用的提高發光效率的方法有在外延層的頂端再生長一厚層GaP,窗口層，由于GaP能隙大，對紅黃光透明，大部分的光能夠透射出去。對GaP表面進行粗化處理，可以抑制全反射現象，進一步降低二極管的發光損失。但是傳統的GaP窗口層仍不能有效解決電流擁擠、電壓過高等缺點。

實用新型內容

為解決現有技術存在的電流擁擠、電壓過高的技術問題，本實用新型提供了一種結構簡單，使用方便，有效地解決大電流注入下的擁擠效應，降低電壓的發光二極管的新型窗口層結構。

為實現上述目的，本實用新型所采用的技術方案為一種發光二極管的新型窗口層結構,包括：砷化鎵基板，所述砷化鎵基板上設置有n型砷化鎵緩沖層，所述n型砷化鎵緩沖層上設置有n型磷化銦鋁限制層，所述n型磷化銦鋁限制層上設置有多重量子阱有源層，所述多重量子阱有源層上設置有p型磷化銦鋁限制層，p型磷化銦鋁限制層上設置有p型過渡層，所述p型過渡層的上設置有p型應變磷化銦鎵窗口層，所述應變磷化銦鎵窗口層上還設置有p型磷化鎵窗口層。

優選的，所述n型砷化鎵緩沖層和n型磷化銦鋁限制層之間設置有布拉格反射層。

優選的，所述p型過渡層為p型磷化鋁鎵銦(AlxGa1-x)0.5In0.5P材料。

優選的，所述p型應變磷化銦鎵窗口層的厚度為100-600埃米。

與現有技術相比，本實用新型具有以下技術效果：本實用新型結構簡單，使用方便，在磷化鎵窗口層內加入一層很薄的應變磷化銦鎵窗口層，這樣可有效地解決大電流注入下的擁擠效應，降低電壓，改善垂直及倒裝LED芯片的光電性能。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖。

具體實施方式

為了使本實用新型所要解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。

如圖1所示，一種發光二極管的新型窗口層結構,包括：砷化鎵基板1，所述砷化鎵基板1上設置有n型砷化鎵緩沖層2，所述n型砷化鎵緩沖層2上設置有n型磷化銦鋁限制層4，所述n型磷化銦鋁限制層4上設置有多重量子阱有源層5，所述多重量子阱有源層5上設置有p型磷化銦鋁限制層6,p型磷化銦鋁限制層6上設置有p型過渡層7，所述p型過渡層7的上設置有p型應變磷化銦鎵窗口層8，所述p型應變磷化銦鎵窗口層8上還設置有p型磷化鎵窗口層9，所述n型砷化鎵緩沖層2和n型磷化銦鋁限制層4之間設置有布拉格反射層3，所述p型過渡層6為p型磷化鋁鎵銦(AlxGa1-x)0.5In0.5P材料，所述p型應變磷化銦鎵窗口層7的厚度為100-600埃米。在過渡層-(AlxGa1-x)0.5In0.5P后再生長一層100-600埃米的應變GaInP材料，即生長GaxInyP時減少In組分，使其組分小于0.45（y<0.45），再生長一定厚度的GaP材料,?這樣可有效地解決大電流注入下的擁擠效應，降低電壓，改善垂直及倒裝LED芯片的光電性能。

以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包在本實用新型范圍內。