[實用新型]一種提升紅光外延AlGaInP亮度的結構

有效

• 申請號: 201520187848.X
• 申請日: 2015-03-31
• 公開（公告）號: CN204632792U
• 公開（公告）日: 2015-09-09
• 發明（設計）人: 郭艷
• 申請（專利權）人: 山西南燁立碁光電有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/02
• 代理公司: 太原高欣科創專利代理事務所(普通合伙) 14109
• 代理人: 胡新瑞

1.一種提升紅光外延AlGaInP亮度的結構，其特征在于：包括窗口層（1）和GaAs基板層（2），所述窗口層（1）位于GaAs基板層（2）上部，所述窗口層（1）和GaAs基板層（2）之間從上到下依次設置有P-clading生長層（3）、MQW生長層（4）、N-clading生長層（5）、DBR生長層（6）和buffer生長層（7），所述窗口層（1）的生長材料為GaP，所述P-clading生長層（3）的生長材料為AlInP，所述MQW生長層（4）為多重量子阱發光層，其生長材料為AlGaInP，所述N-clading生長層（5）的生長材料為AlInP，所述DBR生長層（6）的生長材料為AlAs和AlGaAs，所述buffer生長層（7）的生長材料為GaAs。

2.根據權利要求1所述的一種提升紅光外延AlGaInP亮度的結構，其特征在于：所述窗口層（1）和P-clading生長層（3）中均摻雜有Mg，所述N-clading生長層（5）和buffer生長層（7）中均摻雜有Te。