[實用新型]一種包括參考單元的RRAM子陣列結構

有效

• 申請號: 201520186445.3
• 申請日: 2015-03-30
• 公開（公告）號: CN204680387U
• 公開（公告）日: 2015-09-30
• 發明（設計）人: 韓小煒
• 申請（專利權）人: 山東華芯半導體有限公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 李宏德

1.一種包括參考單元的RRAM子存儲陣列結構，其特征在于，包括主陣列和參考陣列，主陣列包括n行m列存儲單元；參考陣列包括n行2列存儲單元，其中，n為正整數，m為正整數；主陣列和參考陣列中的存儲單元通過按行設置的字線依次連接；

主陣列中任意1列包括主陣列位線BL和主陣列源線SL，以及依次并聯在主陣列位線BL和主陣列源線SL之間的n個存儲單元；

參考陣列中任意1列均能夠作為參考單元；每列參考單元共包括n個存儲單元，由兩級n/2個存儲單元并聯結構串聯組成；每列參考單元包括第一位線RBLH，第二位線RBLL和一條源線CSL，且兩列參考單元共享源線CSL；第一位線RBLH和第二位線RBLL各連接n/2個存儲單元，兩級n/2個存儲單元并聯結構通過CSL串聯；讀取時第一位線RBLH接讀取電壓Vread，第二位線RBLL接地線GND。

2.根據權利要求1所述的一種包括參考單元的RRAM子存儲陣列結構，其特征在于，還包括參考讀取開關RD_RER_SW<n-1:0>，以及設置在主陣列和參考陣列之間字線上的參考寫入開關WR_RER_SW<n-1:0>；參考讀取開關RD_RER_SW<n-1:0>的三端分別連接參考陣列列字線，參考陣列讀取字線電壓RD_RER_WL以及參考讀取使能信號RD_RER_EN；寫入開關WR_RER_SW<n-1:0>的三端分布連接主陣列字線，參考陣列字線以及參考寫入使能信號WR_REF_EN。

3.根據權利要求2所述的一種包括參考單元的RRAM子存儲陣列結構，其特征在于，當對參考單元寫入時，

WR_RER_EN有效，WR_RER_SW<n-1:0>打開，RD_RER_EN無效，RD_RER_SW<n-1:0>關閉且RD_RER_WL接GND，通過WL<i>選擇對應的參考陣列字線REF_WL<i>進行寫入，其中，0≤i≤n-1，n為正整數。

4.根據權利要求2所述的一種包括參考單元的RRAM子存儲陣列結構，其特征在于，當參考單元作為讀取參考時，

WR_RER_EN無效，WR_RER_SW<n-1:0>關閉，RD_RER_EN有效，RD_RER_SW<n-1:0>打開且RD_RER_WL接芯片電源VDD，REF_WL<n-1:0>全部打開，n個參考單元形成兩級n/2個單元并聯再串聯的結構。

5.根據權利要求1所述的一種包括參考單元的RRAM子存儲陣列結構，其特征在于，讀取數據前，參考陣列中的存儲單元均被寫為低阻態。