[實用新型]逐元暗電流抑制的CMOS紅外探測器讀出電路有效
| 申請號: | 201520185693.6 | 申請日: | 2015-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN204514480U | 公開(公告)日: | 2015-07-29 |
| 發明(設計)人: | 宋偉清;袁紅輝;周廉;白濤 | 申請(專利權)人: | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號: | G01J5/10 | 分類號: | G01J5/10 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
| 地址: | 200083 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 逐元暗 電流 抑制 cmos 紅外探測器 讀出 電路 | ||
1.一種逐元暗電流抑制的CMOS紅外探測器讀出電路,它包括輸入電路、積分電路、輸出電路,其特征在于:
所述的輸入電路采用電流存儲單元和電流鏡相結合的結構,其中,電流存儲單元分布在線列電路每個象元中,設有用于實現暗電流定制化調制的外部電壓調節端口;電流鏡布局在線列電路的左右兩端,電流鏡調節端有用于實現暗電流整體抑制的粗調和微調兩個外部調節端口;
所述的電流存儲單元由控制開關、傳輸門對、虛擬開關對、電容耦合回路以及電流存儲管組成,其中,控制開關為一個NMOS管,其柵極設有外部電壓調節端口;傳輸門對由兩個CMOS傳輸門組成,每個CMOS傳輸門由一個PMOS管和一個NMOS管并聯而成;虛擬開關對由兩組虛擬開關組成,每組虛擬開關由兩個NMOS管組成,其中一個NMOS管源漏短接,并且寬長比是另外一個NMOS管的1/2;電容耦合回路由三個電容組成;電流存儲管為NMOS管;控制開關一端連接探測器輸入端,一端連接傳輸門對;傳輸門對另一端連接兩組虛擬開關對;虛擬開關對另一端連接電容耦合回路;而電容耦合回路另一端連接電流存儲管柵極,用于存儲電流存儲管柵極電壓;
所述的電流鏡單元由兩組電流鏡組成,分別負責粗調和微調;兩組電流鏡并聯連接,每組電流鏡由一個NMOS管、兩個PMOS管組成;粗調電流鏡NMOS管寬長比大于細調電流鏡,同時,細調電流鏡的兩個PMOS管寬長比比值大于粗調電流鏡;粗調和細調端口分別加于兩個NMOS管柵極上,電流鏡輸出端連接放大器輸入端。
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