[實用新型]一種控制字線泄放電流的裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520182005.0
• 申請日: 2015-03-27
• 公開（公告）號: CN204991151U
• 公開（公告）日: 2016-01-20
• 發(fā)明（設計）人: 梁超
• 申請（專利權(quán)）人: 西安華芯半導體有限公司
• 主分類號: G11C11/4063
• 分類號: G11C11/4063
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司 61211
• 代理人: 張倩

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及芯片領(lǐng)域，尤其是一種控制字線泄放電流的裝置。

背景技術(shù)

參見圖1a、圖1b，包括過驅(qū)動電壓(VOD)電源、字線高電壓(VBLH)電源、開關(guān)V1、開關(guān)V2、字線陣列、公共字線以及電流源，普通的DRAM芯片在激活(ACT)過程開始時，為了字線上的電壓值可以快速提高至字線高電壓值(VBLH)，需要先將V1控制的開關(guān)打開，使得字線連接到高于VBLH的VOD電源上，待字線電壓接近VBLH電壓時，再將V1控制的開關(guān)關(guān)閉，打開V2控制的開關(guān)，使得字線連接到VBLH電源上，并保持電壓穩(wěn)定。

在正常情況下，字線連接到VOD電源上的時間可以通過后期調(diào)節(jié)達到最優(yōu)，保證字線電壓到達至VBLH的時間最短，同時通過字線的泄放電流Ib保證不會使得字線電壓過沖。

參見圖2，不同地址的字線距離VOD和VBLH電源的物理距離不同，圖中字線1代表距離最遠的單元，字線3代表距離最近的單元，如果采用相同的開關(guān)導通時間和相同的泄放電流Ib給不同地址字線充電，電流流經(jīng)路徑上的寄生電阻阻值和寄生電容容值不同，就會使得不同地址的字線使用同樣泄放電流時產(chǎn)生過沖或者到達VBLH時間過長。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有的控制字線泄放電流的裝置中存在不同地址的字線使用同樣泄放電流時產(chǎn)生過沖或者到達VBLH時間過長的技術(shù)問題，本實用新型提供一種控制字線泄放電流的裝置。

本實用新型的技術(shù)解決方案是：

一種控制字線泄放電流的裝置，包括VOD電源、VBLH電源、開關(guān)V1、開關(guān)V2、字線陣列、公共字線以及電流源，所述字線陣列中的每個字線與公共字線連接，所述公共字線通過開關(guān)V1與VOD電源連接，所述公共字線通過開關(guān)V2與VBLH電源連接，所述電流源產(chǎn)生泄放電流Ib通過公共字線給字線陣列中的充電字線充電，其特殊之處在于：還包括控制器，

所述控制器用于根據(jù)字線陣列中充電字線地址，識別需要的泄放電流大小，控制電流源產(chǎn)生需要的泄放電流Ib。

上述控制器為譯碼器，所述電流源包括開關(guān)陣列和電阻陣列，所述電阻陣列中每個的電阻的一端均接地，另一端通過開關(guān)接入公共字線，所述譯碼器的輸入端接字線陣列中充電字線地址，所述譯碼器的輸出端接開關(guān)陣列中每個開關(guān)的控制端。

上述控制器為DAC，所述電流源為MOS管，所述DAC的輸入端接字線陣列中充電字線地址，所述DAC的輸出端接MOS管的柵端，所述MOS管的源端接地，所述MOS管的漏端接入公共字線。

本實用新型所具有的優(yōu)點：

本實用新型為一種控制字線泄放電流的裝置，該裝置使用控制器利用字線地址控制泄放電流大小，能夠根據(jù)需要產(chǎn)生對應的泄放電流，使得字線電壓過沖減少，并且達到節(jié)省電流的作用。例如：參見圖2，在較遠的字線1充電時，寄生電阻與電容較大，泄放電流的作用被削弱，更容易產(chǎn)生過沖，那么利用控制器根據(jù)此字線的地址，配置較大的泄放電流，使得字線電壓過沖減少。同理在較近的字線3充電時，減小泄放電流，可以達到節(jié)省電流的作用。

附圖說明

圖1a是現(xiàn)有字線充電方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1b為開關(guān)導通時序關(guān)系示意圖；

圖2是現(xiàn)有結(jié)構(gòu)原理圖；

圖3是本實用新型的結(jié)構(gòu)原理圖；

圖4是本實用新型實施例一的結(jié)構(gòu)原理圖；

圖5是本實用新型實施例二的結(jié)構(gòu)原理圖；

具體實施方式

參見圖3，本實用新型是利用充電字線地址，經(jīng)過控制器內(nèi)部識別需要的泄放電流大小，再控制電流源產(chǎn)生泄放電流Ib達到要求，同時在不需要較大泄放電流的字線充電時，降低泄放電流，節(jié)省字線充電功耗。

參見圖4，本實用新型的實施例一是采用譯碼器，開關(guān)和電阻陣列實現(xiàn)，泄放電流Ib等于打開的開關(guān)下流經(jīng)電阻的電流之和，例如：R1、R2和R3上方開關(guān)打開，其余n-3個開關(guān)關(guān)閉，Ib等于Ib1、Ib2、Ib3之和。其中譯碼器是現(xiàn)有單元，可以通過基本邏輯單元搭建很容易的得到。

參見圖5，本實用新型的實施例二是采用數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器DAC，MOS實現(xiàn)。泄放電流Ib與MOS管的柵源級之間的電壓絕對值成一定比例，柵源級電壓絕對值越大，泄放電流Ib越大。其中數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器DAC為現(xiàn)有單元，此實施例中MOS管采用的是NMOS管。