[實(shí)用新型]一種帶隙基準(zhǔn)的啟動(dòng)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520181258.6
• 申請(qǐng)日: 2015-03-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204480099U
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-07-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 成俊
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 西安華芯半導(dǎo)體有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G05F1/56
• 分類(lèi)號(hào): G05F1/56
• 代理公司: 西安智邦專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 61211
• 代理人: 張倩

1.一種帶隙基準(zhǔn)的啟動(dòng)電路，其特征在于：包括MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、電阻R3、電容C1和電容C2，所述電阻R3、電容C1和電容C2的一端均接地，所述MOS管M7的柵端與源端連接后接地，所述電阻R3的另一端、MOS管M4的漏端和MOS管M5的柵端連接于d點(diǎn)，所述MOS管M5的漏端、MOS管M6的柵端、電容C1的另一端以及MOS管M7的漏端連接于e點(diǎn)，所述的MOS管M4、MOS管M5和MOS管M6的源端均與V_DD電源連接，所述MOS管M4的柵端接V_DD電源，所述MOS管M6的漏端以及電容C2的另一端均與帶隙基準(zhǔn)連接，所述MOS管M5的寬長(zhǎng)比小于MOS管M6的寬長(zhǎng)比。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶隙基準(zhǔn)的啟動(dòng)電路，其特征在于：所述電容C1和/或電容C2采用MOS管電容。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的帶隙基準(zhǔn)的啟動(dòng)電路，其特征在于：MOS管M6的寬長(zhǎng)比是MOS管M5的寬長(zhǎng)比的50-300倍。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的帶隙基準(zhǔn)的啟動(dòng)電路，其特征在于：所述MOS管M5的寬長(zhǎng)比為0.6u/300u，所述MOS管M6的寬長(zhǎng)比為2u/6u。

5.一種帶隙基準(zhǔn)的啟動(dòng)電路，其特征在于：包括MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M11、MOS管M0、電容C3和電容C4，所述MOS管M0的源端、電容C3和電容C4的一端均接地，所述MOS管M11的柵端與源端連接后接地，所述MOS管M8的漏端、MOS管M9的柵端和MOS管M0的漏端連接于f點(diǎn)，所述MOS管M9的漏端、MOS管M10的柵端、電容C3的另一端以及MOS管M11的漏端連接于g點(diǎn)，所述的MOS管M8、MOS管M9和?MOS管M10的源端均與V_DD電源連接，所述MOS管M8的柵端接V_DD電源，所述MOS管M10的漏端以及電容C4的另一端均與帶隙基準(zhǔn)連接，所述MOS管M0的柵端接帶隙基準(zhǔn)中偏執(zhí)電流管的柵極電壓I_feedback，所述MOS管M9的寬長(zhǎng)比小于MOS管M10的寬長(zhǎng)比。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的帶隙基準(zhǔn)的啟動(dòng)電路，其特征在于：所述電容C3和/或電容C4采用MOS管電容。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的帶隙基準(zhǔn)的啟動(dòng)電路，其特征在于：MOS管M10的寬長(zhǎng)比是MOS管M9的寬長(zhǎng)比的50-300倍。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的帶隙基準(zhǔn)的啟動(dòng)電路，其特征在于：所述MOS管M9的寬長(zhǎng)比為0.6u/300u，所述MOS管M10的寬長(zhǎng)比為2u/6u。