[實用新型]基于石墨烯的柔性碲化鎘薄膜太陽能電池

有效

• 申請號: 201520181122.5
• 申請日: 2015-03-27
• 公開（公告）號: CN204497243U
• 公開（公告）日: 2015-07-22
• 發明（設計）人: 吳京錦;趙策洲;趙胤超
• 申請（專利權）人: 西交利物浦大學
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 范晴

1.一種基于石墨烯的柔性碲化鎘薄膜太陽能電池，其特征在于，包括自下而上依次設置的鉬箔背電極層、p型石墨烯背接觸層、p型碲化鎘薄膜吸收層、n型硫化鎘薄膜窗口層、本征氧化鋅薄膜高阻層、n型石墨烯導電層和透明高分子材料防護層。

2.根據權利要求1所述的基于石墨烯的柔性碲化鎘薄膜太陽能電池，其特征在于，所述p型石墨烯背接觸層為單層或多層p型摻雜石墨烯薄膜，其摻雜元素選自硼、鉑、金、銅或銀；

所述n型石墨烯導電層為單層或多層n型摻雜石墨烯薄膜，其摻雜元素選自氮、磷、氧或氯。

3.根據權利要求1所述的基于石墨烯的柔性碲化鎘薄膜太陽能電池，其特征在于，所述透明高分子材料防護層選自PI、PET、PVC、LDPE或PC透明高分子薄膜。

4.根據權利要求1所述的基于石墨烯的柔性碲化鎘薄膜太陽能電池，其特征在于，所述鉬箔背電極層的厚度為100nm～400nm;

所述p型石墨烯背接觸層的厚度為0.35nm～5nm;

所述p型碲化鎘薄膜吸收層的厚度為5um～15um；

所述n型硫化鎘薄膜窗口層的厚度為100nm～300nm;

所述本征氧化鋅薄膜高阻層的厚度為50nm～250nm;

所述n型石墨烯導電層的厚度為0.35nm～1nm;

所述透明高分子材料防護層的厚度為200um～2mm。