[實用新型]一種銀基電接觸材料結構

有效

• 申請號: 201520175729.2
• 申請日: 2015-03-26
• 公開（公告）號: CN204516596U
• 公開（公告）日: 2015-07-29
• 發明（設計）人: 向雄志;黎凱強;夏靜;白曉軍
• 申請（專利權）人: 深圳大學
• 主分類號: H01H1/0237
• 分類號: H01H1/0237
• 代理公司: 深圳市恒申知識產權事務所(普通合伙) 44312
• 代理人: 陳健

技術領域

本實用新型屬于一種銀基電接觸材料技術領域，尤其涉及一種銀基電接觸材料結構。

背景技術

目前對電接觸材料的研究與應用已成為電力、自動化、通訊、精密電子儀器等領域的重要課題。電接觸元件是高低壓開關電器核心部件，擔負著電器接通、分段、導流、隔離等工作，其性能直接影響電器、電子等傳導系統工作的整體可靠性、穩定性、精確性和使用壽命，保證電接觸元件性能優良的關鍵是新材料的研發及其制備。

在以往電接觸材料的研究中，一個關鍵的問題在于對電接觸過程和相關材料的研究往往從接觸的界面和表面出發，著眼于其中的均勻結構和均勻性能上，認為接觸僅僅是一個界面或表面的過程，而忽略了材料表面和內部的聯系，忽略了性能的非均勻分布的重要影響。特別是在材料制備過程中，一味的突出“均勻性”，材料整體使用含銀量在90wt％以上的銀銅合金，導致在整體上降低了材料的性能以及用銀量較大的問題。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題在于提供一種降低銀基電接觸材料銀含量的結構。

本實用新型是這樣實現的，提供一種銀基電接觸材料結構，包括銀銅合金基體，所述銀基電接觸材料還包括表層，所述表層位于所述銀銅合金基體表面，其包括純銀層和富銀層，所述純銀層位于所述富銀層與所述銀銅合金基體之間，所述富銀層包括內氧化層、氧化物顆粒和純銀帶，所述內氧化層間隔排布，所述氧化物顆粒位于所述內氧化層中，所述純銀帶穿插在相鄰所述內氧化層的間隙中，與所述富銀層下的所述純銀層相連。

進一步，所述氧化物顆粒成均勻彌散分布在所述內氧化層中。

進一步，所述銀銅合金基體的含銀量為60wt％以下。

進一步，所述富銀層的銀含量為90wt％以上。

進一步，所述富銀層的厚度為20-500微米。

進一步，所述純銀層的銀含量在95wt％以上。

進一步，所述純銀層的厚度為10-50微米。

進一步，所述氧化物顆粒為氧化銅顆粒。

進一步，所述氧化物顆粒的粒徑為0.1-5微米。

進一步，所述純銀帶均勻穿插在所述內氧化層中，與所述純銀層的銀含量相同。

本實用新型與現有技術相比，本實用新型由含銀量高的富銀層和純銀層所組成的材料表層與含銀量較低的銀銅合金基體之間的這種含銀量和材料成分上的差異，形成了材料的梯度結構。采用所述梯度分布的結構，制備的材料具有微細晶粒結構，氧化物顆粒位于富銀層中，大大提高了合金的密度、強度和硬度，增強了合金的耐電弧侵蝕和抗熔焊能力，富銀層以下生成的純銀層有效的降低了電阻率，提高了材料的導電性能，從而提高材料的整體性能。因此，只需要低銀成分條件下，就能夠滿足電接觸材料導電導熱抗腐蝕等基本特性，從而在生產上大大降低了銀基電接觸材料的制作成本，由此解決了銀用量過高的問題。

附圖說明

圖1所示為本實用新型一實施例中的一種銀基電接觸材料的結構示意圖

具體實施方式

為了使本實用新型的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。

圖1所示，為本實用新型一較佳實施例，該銀基電接觸材料結構包括銀銅合金基體1和表層7，表層7位于銀合金基體1表面，其包括純銀層2和富銀層6。純銀層2位于富銀層6與銀銅合金基體1之間，富銀層6包括內氧化層3、氧化物顆粒4和純銀帶5，內氧化層3間隔排布，氧化物顆粒4成均勻彌散分布在內氧化層3中，純銀帶5穿插在相鄰內氧化層3的間隙中，與富銀層6下的純銀層2相連。

具體地，銀銅合金基體1的含銀量為60wt％以下。富銀層6的銀含量為90wt％以上，厚度為20-500微米。純銀層2的銀含量在95wt％以上，厚度為10-50微米。氧化物顆粒4優選氧化銅顆粒，粒徑為0.1-5微米。純銀帶5均勻穿插在內氧化層3中，與純銀層2的銀含量相同。