[實用新型]一種高增益低噪聲放大器

有效

• 申請號: 201520174601.4
• 申請日: 2015-03-26
• 公開（公告）號: CN204425279U
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發明（設計）人: 萬佳;趙新強;李棟;謝李萍;韓文濤;吳凱敏
• 申請（專利權）人: 成都愛潔隆信息技術有限公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F1/34;H03F3/45
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

1.一種高增益低噪聲放大器，其特征在于，包括源極負反饋偽差分共源共柵電路和漏極負反饋差分共源共柵電路；所述源極負反饋偽差分共源共柵電路包括第一雙MOS管電路、第二雙MOS管電路以及用于串聯第一雙MOS管電路和第二雙MOS管電路的第一諧振電路；所述漏極負反饋差分共源共柵電路包括第三雙MOS管電路、第四雙MOS管電路以及用于串聯第三雙MOS管電路和第四雙MOS管電路的第二諧振電路；所述第一雙MOS管電路與第四雙MOS管電路串聯，所述第二雙MOS管電路與第三雙MOS管電路串聯。

2.根據權利要求1所述的一種高增益低噪聲放大器，其特征在于，所述第一雙MOS管電路包括柵極經由電阻R1串聯一偏置電壓VG1的第一MOS管，源極與該第一MOS管漏極串聯、漏極同時串聯第一諧振電路和第四雙MOS管電路的第三MOS管，與該第三MOS管柵極串聯的偏置電壓VG2，以及與第一MOS管源極串聯并接地的鍵合線。

3.根據權利要求2所述的一種高增益低噪聲放大器，其特征在于，所述第二雙MOS管電路包括柵極經由電阻R2串聯偏置電壓VG1、且源極串聯鍵合線的第二MOS管，以及源極與該第二MOS管漏極串聯、柵極串聯偏置電壓VG2、且漏極同時串聯第一諧振電路和第三雙MOS管電路的第四MOS管。

4.根據權利要求3所述的一種高增益低噪聲放大器，其特征在于，所述第一諧振電路包括串聯在第三MOS管和第四MOS管二者的漏極之間的電容C1，以及與該電容C1并聯、且中間抽頭串接電源VDD的電感L1。

5.根據權利要求4所述的一種高增益低噪聲放大器，其特征在于，所述第三雙MOS管電路包括源極接地、且柵極經由電阻R3串聯一偏置電壓VG3的第五MOS管，源極與該第五MOS管漏極串聯、漏極串聯第二諧振電路的第七MOS管，以及與該第七MOS管柵極串聯的偏置電壓VG4；所述第四MOS管的漏極通過電容C4與第五MOS管的柵極串聯。

6.根據權利要求5所述的一種高增益低噪聲放大器，其特征在于，所述第四雙MOS管電路包括源極接地、且柵極經由電阻R4串聯偏置電壓VG3的第六MOS管，以及源極與該第六MOS管漏極串聯、柵極串聯偏置電壓VG4、且漏極串聯第二諧振電路的第八MOS管；所述第三MOS管的漏極通過電容C3與第六MOS管的柵極串聯。

7.根據權利要求6所述的一種高增益低噪聲放大器，其特征在于，所述第二諧振電路包括串聯在第七MOS管和第八MOS管二者的漏極之間的電容C2，以及與該電容C2并聯、且中間抽頭串接電源VDD的電感L2。

8.根據權利要求7所述的一種高增益低噪聲放大器，其特征在于，還包括與漏極負反饋差分共源共柵電路串接、用于控制其通斷的開關電路。

9.根據權利要求8所述的一種高增益低噪聲放大器，其特征在于，所述開關電路包括源極串聯第五MOS管柵極、柵極串聯一偏置電壓VG5、且漏極通過電阻R5串聯第七MOS管漏極的第九MOS管，以及源極串聯第六MOS管柵極、柵極串聯偏置電壓VG5、且漏極通過電阻R6串聯第八MOS管漏極的第十MOS管；所述第九MOS管與電阻R5之間還串聯有電容C5，所述第十MOS管與電阻R6之間則串聯有電容C6。

10.根據權利要求9所述的一種高增益低噪聲放大器，其特征在于，所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八、第九、第十MOS管均為NMOS管。