[實用新型]一種蘑菇型人工磁導體結構及偶極子天線和單端電感

有效

• 申請號: 201520165272.7
• 申請日: 2015-03-23
• 公開（公告）號: CN204577424U
• 公開（公告）日: 2015-08-19
• 發明（設計）人: 韓波;宋有才;劉華明;劉德方;張媛
• 申請（專利權）人: 阜陽師范學院
• 主分類號: H01L23/58
• 分類號: H01L23/58;H01L23/64;H01Q1/38;H01Q9/20
• 代理公司: 四川君士達律師事務所 51216
• 代理人: 芶忠義

1.一種蘑菇型人工磁導體結構，其特征在于：包括兩條呈十字型交叉、長度相等的中心金屬條，兩條中心金屬條的交叉處通過金屬過孔接地，每條中心金屬條上還帶有若干一端與其所接觸的中心金屬條垂直的垂直金屬條，所述垂直金屬條的長度是中心金屬條的一半，每條中心金屬條上的垂直金屬條數量相等，且呈中心對稱分布。

2.根據權利要求1所述的蘑菇型人工磁導體結構，其特征在于：位于兩條中心金屬條的十字型右上與左下部分的垂直金屬條為橫向金屬條，位于兩條中心金屬條的十字型左上與右下部分的垂直金屬條為縱向金屬條。

3.根據權利要求1所述的蘑菇型人工磁導體結構，其特征在于：位于兩條中心金屬條的十字型右上與左下部分的垂直金屬條為縱向金屬條，位于兩條中心金屬條的十字型左上與右下部分的垂直金屬條為橫向金屬條。

4.根據權利要求1所述的蘑菇型人工磁導體結構，其特征在于：所述蘑菇型人工磁導體結構為CMOS工藝結構第一層或其他非頂層金屬構成。

5.根據權利要求1所述的蘑菇型人工磁導體結構，其特征在于：所述中心金屬條和垂直金屬條的寬度為1.8-2.2微米，垂直金屬條之間的間隙與中心金屬條的寬度相等，中心金屬條的長度為81-99微米。

6.一種加載了蘑菇型人工磁導體結構的偶極子天線，其特征在于：所述偶極子天線由CMOS工藝結構的頂層金屬構成，分為兩個單臂，兩個單臂的中心處為饋點，所述CMOS工藝結構的第一層金屬為由4×10個權利要求1-5任意一項所述的蘑菇型人工磁導體結構。

7.根據權利要求6所述的加載了蘑菇型人工磁導體結構的偶極子天線，其特征在于：所述偶極子天線單臂長為438.5-536.5微米，寬為11-14微米。

8.一種加載了蘑菇型人工磁導體結構的單端電感，其特征在于：所述單端電感包括由CMOS工藝結構的頂層金屬構成的螺旋電感線，和由次頂層金屬構成的金屬過線，所述CMOS工藝結構的第一層金屬為3×3個權利要求1-5任意一項所述的蘑菇型人工磁導體結構，所述蘑菇型人工磁導體結構位于螺旋電感線的正下方。

9.根據權利要求8所述的加載了蘑菇型人工磁導體結構的單端電感，其特征在于：所述螺旋電感線的外徑為252-308微米，螺旋電感線與過線寬為9-11?微米，螺旋電感線的間距為0.8-1.2微米。