[實用新型]導航天線

有效

• 申請號: 201520162002.0
• 申請日: 2015-03-23
• 公開（公告）號: CN204741071U
• 公開（公告）日: 2015-11-04
• 發明（設計）人: 黃勇;馬紅俠;張霄鵬
• 申請（專利權）人: 蘇州博海創業微系統有限公司
• 主分類號: H01Q1/52
• 分類號: H01Q1/52
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及電信號處理設備，特別是與高頻電信號的傳輸有關。

背景技術

現有的一種導航天線，如圖1a至1c所示，包括下介質體1、上介質體2、第一微帶天線以及第二微帶天線。其中，該下介質體1的頂面12與該上介質體2的底面22疊置在一起，該第一微帶天線包括設置在該下介質體1中并露出于該下介質體1的底面11的兩個第一饋電點15。該第一饋電點15包括貫穿該下介質體1的底面11與頂面12的第一饋電探針。該第二微帶天線包括設置在該上介質體2及下介質體1中并露出于該上介質體2的頂面21的兩個第二饋電點25。該第二饋電點25包括貫穿該下介質體1的底面11和該上介質體2的頂面21的第二饋電探針。其中，這兩個第二饋電點25與這兩個第一饋電點15的數目相當且成對設置，分別構成兩個天線。這種的結構兩個天線之間，存在隔離度較差的缺陷?？梢姡瑢嵱斜匾M行改進。

發明內容

本實用新型要解決的技術問題在于，針對現有技術的上述缺陷，提出一種導航天線，可以大大提高集成在一起的兩個天線的隔離度。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案包括：提供一種導航天線，包括下介質體、上介質體、第一微帶天線以及第二微帶天線，其中，該下介質體的頂面與該上介質體的底面疊置在一起，該第一微帶天線包括設置在該下介質體中并露出于該下介質體的底面的至少一第一饋電點，該第二微帶天線包括設置在該上介質體及下介質體中并露出于該上介質體的頂面的至少一第二饋電點，其中第二饋電點與第一饋電點的數目相當且成對設置，該導航天線還包括設置在每對第一饋電點與第二饋電點之間并與第一饋電點相鄰的至少一短路孔，這些短路孔是設置在該下介質體中并露出于該下介質體的底面，以增強該第一微帶天線與第二微帶天線之間的隔離。

在一些實施例中，該第一饋電點包括貫穿該下介質體的底面與頂面的第一饋電探針，該短路孔也是貫穿該下介質體的底面和頂面的。

在一些實施例中，該短路孔為金屬化孔。

在一些實施例中，該第二饋電點包括貫穿該下介質體的底面和該上介質體的頂面的第二饋電探針。

在一些實施例中，每對第一饋電點與第二饋電點定義一平面，相應的短路孔是位于該平面內的。

在一些實施例中，該下介質體的底面設置成地平面。

在一些實施例中，該導航天線包括兩對的第一饋電點與第二饋電點和兩個的短路孔。

在一些實施例中，該下介質體和該上介質體均為高溫燒結陶瓷材質。

在一些實施例中，該下介質體與該上介質體是由單個介質層構成。

在一些實施例中，該第一微帶天線為接收天線，該第二微帶天線為發射天線。

與現有技術相比，本實用新型的導航天線，通過在每對第一饋電點與第二饋電點之間并與第一饋電點相鄰的饋電點內側增設短路孔，可以大大提高集成在一起的兩個天線的隔離度。

附圖說明

圖1a至1c是現有的導航天線的結構示意，其中，圖1a為側面結構，圖1b為仰視結構，圖1c為俯視結構。

圖2a至2c是本實用新型的導航天線實施例的結構示意，其中，圖2a為側面結構，圖2b為仰視結構，圖2c為俯視結構。

圖3是本實用新型的導航天線與現有導航天線的隔離效果比較，其中，橫軸為頻率，單位為MHz，縱軸為隔離度，單位為dB，下方曲線S0為現有的導航天線的隔離度，上方曲線S1為本實用新型的導航天線的隔離度。

其中，附圖標記說明如下：1?下介質體?11?底面?12?頂面?15?第一饋電點?17?短路孔；2?上介質體?21?頂面?22?底面?25?第二饋電點?27?短路孔。

具體實施方式

為了詳細說明本實用新型的構造及特點所在，茲舉以下較佳實施例并配合附圖說明如下。